时间：2025/9/15 12:10:44
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ALM-2116-TR1G是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换的场合。该MOSFET采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。ALM-2116-TR1G适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用领域。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
连续漏极电流（Id）：5.8A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.1V ~ 2.5V
最大功耗：2.5W
封装类型：TSOT-23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
ALM-2116-TR1G具有多个显著的性能优势。首先，其低导通电阻特性能够显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其是在高电流应用中表现更为出色。其次，该MOSFET具备较高的开关速度，能够快速切换状态，适用于高频开关电路，有助于减小外围元件的尺寸并提高整体系统性能。此外，ALM-2116-TR1G采用了先进的封装技术，提供了良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。其栅极阈值电压范围适中，便于驱动电路设计，并且能够兼容多种控制器的输出电压水平。该器件还具有较高的耐用性和可靠性，在长时间运行和恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。
ALM-2116-TR1G广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于电源管理模块、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制电路等。在便携式电子设备中，该MOSFET可以用于高效能的电源转换，延长电池续航时间。在工业控制系统中，它可以作为高效率的开关元件，提升系统的整体性能。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也适用于需要高稳定性的汽车电子系统。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, BSS138K
