时间：2025/5/8 18:43:45
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ALD815TSB是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用TO-252表面贴装封装。它广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。
该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用领域。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：23mΩ
栅极电荷：4.5nC
开关时间：典型值ton=19ns，toff=17ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗和提高效率。
2. 快速的开关性能，适合高频开关应用。
3. 具备较高的电流承载能力，能够满足大功率需求。
4. 小型化的TO-252封装，适合高密度电路板设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的功率控制。
5. 各类电机驱动和工业自动化控制。
ALD815TSE, IRFZ44N, FDP55N20
