AL1676-40DS7-13 是一款高性能的工业级功率 MOSFET 芯片,专为高电流和高电压应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺,在提供卓越的开关性能的同时,还具备低导通电阻和出色的热稳定性。其封装形式和电气特性使其成为许多电力电子设备的理想选择,包括电源管理模块、电机驱动器和逆变器等。
型号:AL1676-40DS7-13
类型:N沟道增强型源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A
脉冲漏极电流(Ip):96A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
总功耗(Ptot):225W
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
AL1676-40DS7-13 具有以下显著特性:
1. 高电压耐受能力:能够承受高达650V的漏源电压,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:仅0.18Ω的导通电阻确保了高效的功率传输,并降低了发热。
3. 快速开关能力:优化的栅极电荷设计使得该器件能够在高频条件下保持高效运行。
4. 热稳定性强:即使在极端温度范围内(-55°C至+175°C),也能保证稳定的工作性能。
5. 高可靠性:经过严格测试和筛选,适用于各种恶劣工况下的长时间运行。
这款芯片广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中,例如:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动器的核心元件。
3. 太阳能逆变器中的关键功率控制单元。
4. 电动汽车牵引逆变器和其他高压变频器设备。
5. UPS不间断电源系统中的核心功率处理部件。
AL1676-30DS7-12, IRFP260N, STP16NF65