型号：AL1666S-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-26
　　引脚数：6
　　工作电源电压范围：7.5V ~ 24V
　　关断阈值电压（典型值）：6.8V
　　启动电流（最大值）：20μA
　　静态工作电流（典型值）：1.2mA
　　最大开关频率：500kHz
　　前沿消隐时间（典型值）：280ns
　　VDD过压保护阈值：约26V（迟滞约3V）
　　导通阈值电压（VDS）：-60mV（典型值）
　　关断阈值电压（VDS）：-200mV（典型值）
　　驱动输出高电平电压：接近VDD
　　驱动输出低电平电压：<1V
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

AL1666S-13采用先进的VDS检测技术实现精确的同步整流控制，无需额外的隔离绕组或复杂的反馈电路即可完成对次级侧MOSFET的驱动时序管理。其内部集成了前沿消隐功能，在每个开关周期开始后提供约280ns的消隐时间，有效防止因变压器寄生参数引起的电压尖峰误触发，从而避免误开通导致的交叉导通问题，提升了系统的稳定性和抗干扰能力。
　　该芯片具备智能自供电架构，可在启动阶段从输出端汲取能量为VDD电容充电，待正常运行后由辅助绕组供电，简化了外围电源设计。同时，其内置的欠压锁定（UVLO）机制确保只有当VDD电压达到稳定工作水平时才允许驱动信号输出，防止在电源建立不完全时发生异常动作。当检测到负载突变或短路故障时，芯片会自动进入打嗝模式（hiccup mode），限制输出电流并周期性尝试重启，保护主开关管和同步整流MOSFET不受损坏。
　　AL1666S-13支持多种反激工作模式，包括断续导通模式（DCM）、连续导通模式（CCM）以及准谐振模式（QR），能够在不同负载条件下维持高效的同步整流操作。在轻载或空载状态下，芯片可自动进入低功耗待机模式，进一步降低待机功耗，满足能源之星（Energy Star）和DoE VI等国际能效标准要求。其输出驱动能力强，可直接驱动低栅极电荷（Qg）的N沟道MOSFET，减少额外驱动电路的需求。
　　此外，AL1666S-13具有良好的噪声抑制能力和温度稳定性，即使在恶劣电磁环境或高温工况下也能保持精准的导通/关断判断。所有内部基准和比较器均经过精密修调，保证了器件的一致性和可靠性。整体设计兼顾高性能与高安全性，适用于追求高效率、小体积和高可靠性的现代电源系统。

AL1666S-13广泛应用于各类中小功率AC-DC开关电源中，尤其适用于需要高能效和低待机功耗的便携式设备电源解决方案。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑的USB Type-C或传统DC充电器；家用电器中的辅助电源模块；智能家居设备如路由器、摄像头、语音助手等的外置适配器；LED照明驱动电源；工业控制系统的隔离式DC-DC模块前端整流部分；以及符合六级能效（DoE Level VI）和CoC Tier 2标准的绿色电源产品。
　　在这些应用中，AL1666S-13通过取代传统肖特基二极管实现同步整流，大幅降低了次级侧的导通损耗，使得整体转换效率提升2%~5%，尤其是在低输出电压（如5V、9V、12V）和中等电流（1A~5A）的应用中效果尤为明显。同时，由于减少了热量产生，可以缩小散热器尺寸甚至实现无散热器设计，有助于实现更紧凑的产品外形。其SOT-26小型封装也便于在空间受限的PCB上布局，特别适合高度集成化的电源板设计。
　　此外，该芯片还可用于支持PD（Power Delivery）快充协议的多口充电站、无线充电底座、电动工具电池充电器等新兴消费电子领域。凭借其出色的动态响应能力和故障保护机制，AL1666S-13能够在频繁变化的负载条件下保持稳定运行，延长电源寿命并提升用户体验。对于追求高性价比、高可靠性和节能环保目标的设计工程师而言，AL1666S-13是一个理想的选择。

APSR1666H-13
　　SG6601S
　　SIT6601S