AL101LKQT 时间：2025/9/23 17:59:50 阅读：39

AL101LKQT是一款由Diodes Incorporated生产的同步整流控制器芯片，专为反激式（Flyback）电源转换器中的同步整流应用而设计。该器件通过检测功率MOSFET的漏源电压来实现精确的导通与关断控制，从而替代传统肖特基二极管，显著提高电源系统的整体效率。AL101LKQT适用于多种低功耗至中等功率的AC-DC适配器、充电器和开放式开关电源（Open Frame PSU）等应用场合。该芯片采用先进的BCD工艺制造，具备高集成度和优异的热稳定性，能够在宽输入电压范围内稳定工作，并支持多种工作模式以优化轻载和满载条件下的能效表现。此外，AL101LKQT集成了多重保护功能，如过温保护、VCC欠压锁定（UVLO）以及前沿消隐电路，确保系统在各种异常工况下仍能安全可靠运行。其小型化封装（如TSOT26或DFN等）有助于节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化和高功率密度的需求。

参数

型号：AL101LKQT
　　制造商：Diodes Incorporated
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：TSOT26
　　引脚数：6
　　最大VCC电压：22V
　　静态电流：典型值 1.2mA
　　工作频率范围：最高可达 500kHz
　　导通阈值电压（VDS_TH_ON）：典型值 80mV
　　关断阈值电压（VDS_TH_OFF）：典型值 -30mV
　　延迟时间（前沿消隐时间）：典型值 65ns
　　驱动能力：N沟道MOSFET栅极驱动
　　最大驱动电压：12V
　　启动时间：典型值 <1μs
　　关断响应时间：典型值 <100ns

特性

AL101LKQT的同步整流控制机制基于对功率MOSFET漏源极电压（VDS）的实时监测，能够精准识别MOSFET的正向导通与反向阻断状态，从而实现快速且可靠的开关控制。当主开关管关断、次级绕组电压变正时，控制器会检测到MOSFET体二极管的导通压降，并在短时间内开启同步整流MOSFET，有效降低导通损耗。这种基于VDS检测的方案无需外部变压器辅助绕组信号，简化了电路设计并提高了系统兼容性。芯片内部集成了高压电平位移电路，使其可以直接驱动高边配置的N沟道MOSFET，进一步提升效率并降低成本。此外，AL101LKQT具备出色的噪声抑制能力，内置的前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）功能可有效防止因寄生电感引起的电压尖峰误触发，避免同步整流管误开通导致的直通风险。该特性特别适用于高频开关环境，保障系统运行的稳定性。
　　为了适应不同负载条件下的高效运行，AL101LKQT支持自动模式切换功能，在重载时进入连续导通模式（CCM），而在轻载或待机状态下则自动转入断续导通模式（DCM）或突发模式（Burst Mode），最大限度地减少空载功耗，满足国际能效标准（如CoC Tier 2、DOE Level VI）的要求。芯片还具备完善的自我保护机制：当芯片结温超过安全阈值时，过温保护（OTP）功能将自动关闭输出，防止热损坏；同时，VCC欠压锁定（UVLO）确保只有在供电电压达到稳定工作范围后才允许芯片正常运作，避免上电过程中的不稳定行为。这些集成化的智能保护不仅提升了系统的可靠性，也减少了外围元件数量，降低了整体BOM成本。

应用

AL101LKQT广泛应用于各类需要高能效、小体积AC-DC电源解决方案的产品中。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的USB充电器和电源适配器，尤其适合输出功率在5W至65W范围内的单路或多路输出反激式电源拓扑。此外，它也被用于智能家居设备（如路由器、摄像头、智能音箱）、工业传感器、IoT终端设备以及LED照明驱动电源中，助力产品通过严格的能源法规认证。由于其无需光耦反馈即可实现良好的负载调整率，因此常被用于初级侧调节（PSR）反激电源设计中，进一步简化隔离反馈路径的设计复杂度。在医疗设备或消费类白色家电中，AL101LKQT同样表现出良好的电磁兼容性和长期运行稳定性，适用于对安全性和可靠性要求较高的场景。随着全球对节能减排要求的不断提高，该芯片在绿色能源和可持续发展相关电子产品中的应用前景持续扩大。