型号：AL03ST5N6
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N 沙漠 MOSFET
　　漏源电压 Vds：560 V
　　栅源电压 Vgs：±30 V
　　连续漏极电流 Id：3 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流 Idm：12 A
　　导通电阻 Rds(on)：5.6 Ω（max @ Vgs=10V）
　　阈值电压 Vth：3 ~ 5 V
　　输入电容 Ciss：450 pF @ Vds=25V
　　输出电容 Coss：100 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间 trr：<50 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　安装方式：表面贴装

AL03ST5N6 具备优异的电气性能和热稳定性，适用于多种高要求的电力电子应用场景。其最大漏源电压可达 560V，能够在高压环境下稳定运行，适合用于离线式开关电源、AC-DC 转换器以及 LED 驱动电源等系统中。该器件的导通电阻 Rds(on) 在 Vgs = 10V 时典型值为 5.6Ω，这一较低的阻值有助于减少导通损耗，提高整体能效，尤其在持续负载条件下表现突出。
　　该 MOSFET 采用了优化的沟道设计，具有较高的跨导和快速的开关响应能力，能够有效降低开关过程中的能量损耗，从而提升系统的转换效率。同时，其输入电容和输出电容较小，减少了栅极驱动所需的能量，使得它在高频 PWM 控制电路中表现出色，例如在 DC-DC 升压或降压变换器中可实现更高的工作频率，进而减小外围电感和电容的体积，有利于实现紧凑型电源设计。
　　AL03ST5N6 还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，在突发短路或瞬态过压情况下仍能保持一定的安全裕度。其最大结温可达 +150°C，配合适当的散热设计（如使用散热焊盘或外接散热片），可在高温工业环境中长期可靠运行。此外，该器件支持简单的栅极驱动方式，兼容常见的驱动 IC 输出逻辑电平，便于集成到现有控制系统中。
　　由于采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，AL03ST5N6 不仅具备较好的机械强度和焊接可靠性，还支持自动化贴片生产，适用于大规模批量制造。其符合 RoHS 标准，无铅且环保，满足现代电子产品对绿色制造的要求。综合来看，这款 MOSFET 在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统中的理想选择之一。

AL03ST5N6 广泛应用于各类中低压电力转换与控制电路中。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和开放式电源模块，其中作为主开关管或同步整流器件使用，能够有效提升电源效率并降低温升。在 DC-DC 转换器领域，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是反激式拓扑结构中，该器件都能凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著减少功率损耗，提升系统动态响应速度。
　　在 LED 照明驱动电源中，AL03ST5N6 常被用作恒流控制回路中的主控开关元件，适用于家用照明、商业灯具及户外照明系统。其高耐压特性使其可以适应宽范围输入电压，支持从交流市电直接整流后的高压直流母线操作，简化了电路设计复杂度。
　　此外，该器件也适用于电机驱动应用，特别是在小功率直流电机或步进电机的 H 桥驱动电路中，可用于实现正反转和调速功能。在工业自动化设备、智能家居电器、电动工具等产品中均有实际应用案例。
　　由于其具备较高的可靠性和温度适应能力，AL03ST5N6 还可用于车载辅助电源系统、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及太阳能微型逆变器等新能源相关设备中。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有一定要求的中低电流开关应用，均可考虑采用此款 MOSFET 实现高性能解决方案。

STP5NK50ZFP
　　STP3NB60NS
　　FQA3N60C