型号：AL03BT1N8
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：3.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：14 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）@max：1.8 Ω
　　栅极电荷（Qg）@10V：65 nC
　　输入电容（Ciss）：1100 pF
　　输出电容（Coss）：35 pF
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP

AL03BT1N8采用ST先进的超结（Super Junction）MOSFET技术，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，显著降低了器件在高电压阻断状态下的导通电阻（RDS(on)），同时维持了出色的击穿电压能力。这一技术突破使得AL03BT1N8在800V耐压等级下仍能实现低至1.8Ω的典型导通电阻，有效减少了导通损耗，提升了电源系统的整体能效。该器件的栅极电荷（Qg）仅为65nC，意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更低，有助于减小控制器的负担并提升开关频率，进而缩小外围无源元件如变压器和电感的体积，实现更高功率密度的设计。
　　另一个关键优势是其优化的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），这不仅改善了开关瞬态响应，还降低了关断过程中的电压过冲风险，提高了系统在恶劣工况下的稳定性。体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 35ns），可有效抑制开关瞬间产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适用于连续导通模式（CCM）PFC电路和硬开关拓扑结构。
　　该器件具备优良的热性能，TO-220FP封装提供了较大的金属背板用于散热连接，允许将芯片热量高效传导至散热器，确保长时间运行时的温度控制。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使AL03BT1N8可在严苛环境条件下可靠运行，包括高温工业环境或密闭空间内的电源模块。此外，±30V的栅源电压容限增强了对驱动电路异常波动的容忍度，提高了系统鲁棒性。所有这些特性共同使AL03BT1N8成为高性能、高可靠性开关电源设计中的理想选择。

AL03BT1N8主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和小型化设计的场合。典型应用包括离线式反激变换器（Flyback Converter）、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）、连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）电路以及LLC谐振转换器等拓扑结构。由于其800V的高击穿电压，该器件能够直接连接整流后的市电输入（如220V AC或更高端电压波动情况），无需额外的电压缓冲电路，简化了前端设计并提高了系统集成度。在LED照明驱动电源领域，AL03BT1N8被广泛用于恒流输出的隔离型电源模块，支持宽电压输入范围和长寿命运行要求。
　　此外，该器件适用于各类消费类与工业类适配器、充电器（如笔记本电脑电源、电动工具充电器）、家电电源板（如空调、洗衣机内置SMPS）以及电信设备供电单元。在太阳能微型逆变器或辅助电源中，AL03BT1N8也可作为主开关管使用，利用其低损耗特性延长系统使用寿命并降低维护成本。其快速开关能力和良好EMI表现也使其适合用于对电磁兼容性要求较高的医疗电子或测量仪器电源部分。总之，任何需要在高电压环境下实现高效能量转换的应用，均可考虑采用AL03BT1N8作为核心功率开关器件。

STL03N80K5, STW03N80K5, FCH03N80T, FCP03N80N