型号：AL02HT20N8
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：在Tc=25°C时为160A，在Tc=100°C时为100A
　　脉冲漏极电流(Idm)：640A
　　功耗(Pd)：500W（Tc=25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值7.5mΩ，最大值8.5mΩ（在Vgs=10V，Id=80A条件下）
　　阈值电压(Vth)：3.0V至4.5V
　　输入电容(Ciss)：约12000pF（在Vds=25V，Vgs=0V，f=1MHz下）
　　输出电容(Coss)：约1000pF
　　反向恢复时间(trr)：快速体二极管，典型值50ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C至+150°C

AL02HT20N8采用先进的沟槽式MOSFET结构，结合优化的元胞设计和场板技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。这种设计不仅显著降低了导通损耗，还减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体系统的能效。其Rds(on)在高温下仍保持较低水平，表现出良好的温度稳定性，这对于持续高负载运行的应用至关重要。器件的栅极电荷（Qg）经过优化，使得驱动电路所需的能量更少，进一步提升了高频开关应用中的效率。
　　该MOSFET具有出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或电感负载突变的情况下提供可靠的保护，增强了系统的鲁棒性。其内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间，有效抑制了反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI），并避免了因换流引起的额外损耗，特别适用于硬开关拓扑如LLC谐振变换器、有源钳位反激等。
　　热阻方面，AL02HT20N8的结到壳热阻（RthJC）非常低，通常小于0.3°C/W，这使其能够高效地将热量传导至散热器，支持长时间高功率运行。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温反向偏置（HTRB）和高温高压循环（THB）等，符合工业级质量标准。其封装材料具备良好的绝缘性和机械强度，适用于自动焊接工艺，并兼容无铅回流焊流程，满足RoHS环保要求。

AL02HT20N8广泛应用于各类中高功率电力电子设备中，尤其适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场合。在通信电源领域，它常用于服务器电源、基站电源模块中的主开关管或同步整流器，帮助实现高转换效率和紧凑设计。在消费类电子产品中，可用于大功率适配器、游戏主机电源及高端显示器电源单元。
　　在可再生能源系统中，该器件被用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-DC转换级，凭借其高耐压和低损耗特性，有效提升能源转换效率。工业控制与自动化设备中的电机驱动、UPS不间断电源以及电焊机等也大量采用此类高性能MOSFET。
　　此外，AL02HT20N8还可用于电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源或DC-DC模块，以及充电桩内部的功率级设计。其快速开关能力和良好热性能使其在高频软开关拓扑（如零电压开关ZVS和零电流开关ZCS）中表现优异。同时，由于其具备较强的抗浪涌能力，也适用于存在频繁启停或负载突变的严苛环境，确保系统长期稳定运行。

AOZ3216NQI-02