型号：AL02HT10N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：27A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：108A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.027Ω @ VGS=10V, ID=13.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω @ VGS=4.5V, ID=9A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1350pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：360pF @ VDS=50V
　　反向传输电容（Crss）：55pF @ VDS=50V
　　栅极电荷（Qg）：25nC @ VGS=10V
　　二极管反向恢复时间（trr）：28ns
　　功率耗散（PD）：100W @ TC=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

AL02HT10N采用了AOS成熟的TrenchFET?沟道工艺，这种先进的制造技术使得器件能够在保持小尺寸的同时实现极低的导通电阻和优异的开关性能。其典型RDS(on)仅为27mΩ，在VGS=10V条件下可显著减少导通损耗，特别适合用于高效率DC-DC降压变换器或同步整流拓扑中。同时，该器件在低栅极驱动电压下（如4.5V）仍能保持较低的RDS(on)，支持逻辑电平驱动，增强了与现代控制器的兼容性，适用于由PWM控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有出色的动态特性，包括低栅极电荷（Qg=25nC）和低米勒电容（Crss=55pF），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率上限，从而减小外围无源元件体积，提升电源系统的功率密度。此外，器件内部寄生体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），降低了在桥式电路或续流路径中发生反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰风险，提升了系统稳定性。
　　在可靠性方面，AL02HT10N经过严格的生产测试和质量管控，具备高雪崩能量耐受能力（EAS），可在瞬态过压条件下自我保护，防止因电感负载突变导致的击穿。器件还具备优良的热性能，TO-252封装结合底部散热焊盘设计，允许通过PCB铜箔进行高效散热，确保长时间高负载运行下的结温控制在安全范围内。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级环境。
　　此外，AL02HT10N符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持绿色环保设计理念。器件在制造过程中实施了严格的质量管理体系，确保批次一致性与长期供货能力。工程师在使用时应合理设计栅极驱动回路，避免振荡，并建议加入适当的栅极电阻以抑制dV/dt效应，从而进一步提升系统EMI表现和可靠性。

AL02HT10N因其优异的电气性能和可靠的封装设计，被广泛应用于多种电力电子系统中。首先，在开关电源（SMPS）领域，它常用于AC-DC适配器、服务器电源模块以及电信整流器中的主开关管或同步整流器，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率并降低温升。
　　其次，在DC-DC变换器中，尤其是在非隔离式降压（Buck）转换器中，AL02HT10N作为高端或低端开关使用，能够支持高达数十安培的输出电流，满足高性能CPU、GPU供电需求，常见于笔记本电脑、嵌入式主板和工业电源板上。
　　此外，该器件也适用于电机驱动应用，例如小型直流电机、步进电机或风扇控制电路中，作为H桥结构中的开关元件，提供高效的功率切换能力，并可通过PWM调速实现精确控制。
　　在电池管理系统（BMS）和负载开关电路中，AL02HT10N可用于电池充放电通路的通断控制，凭借其低导通压降减少能量损耗，延长电池续航时间。同时，其较高的电流承载能力和热稳定性使其适合用于热插拔控制器或电源冗余切换电路。
　　其他应用还包括LED驱动电源、太阳能逆变器辅助电源、家用电器控制板以及汽车电子中的车载充电模块等。无论是在消费类电子产品还是工业设备中，AL02HT10N都能提供稳定可靠的功率控制解决方案。

AOTF10N100L,AOZ12813PFC,STP27NM50N,FQP27N10