型号：AL01BT0N2
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压VDS：20V
　　最大栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：4.6A
　　脉冲漏极电流IDM：18A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：27mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5V：33mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容Ciss：470pF @ VDS=10V
　　输出电容Coss：140pF @ VDS=10V
　　反向传输电容Crss：35pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间td(on)：4ns
　　关断延迟时间td(off)：9ns
　　总栅极电荷Qg：5nC @ VGS=4.5V
　　封装类型：SOT-23
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散PD：1W（@TA=25°C）

AL01BT0N2采用先进的Trench沟道工艺制造，这种结构能够在单位面积内实现更高的沟道密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，同时保持良好的击穿电压能力。该器件在VGS=4.5V时的典型RDS(on)仅为24mΩ，最大值为27mΩ，在同类SOT-23封装产品中表现出色，特别适用于对效率要求较高的低压同步整流或负载开关应用。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=5nC）和米勒电容（Crss=35pF），使其在高频开关应用中具备优异的动态性能。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低控制器的功耗，并支持更快的开关速度，从而减少开关损耗，提升电源系统的整体效率。同时，其快速的开启和关断延迟时间（分别为4ns和9ns）进一步增强了其在高频PWM控制中的响应能力。
　　AL01BT0N2的栅极阈值电压较低，范围为0.6V至1.0V，这使得它能够兼容3.3V甚至更低逻辑电平的驱动信号，适用于现代低电压微控制器直接驱动的应用场景。此外，该器件具备良好的热稳定性，其RDS(on)随温度变化的波动较小，确保在不同工作温度下仍能维持稳定的导通性能。
　　由于采用SOT-23封装，AL01BT0N2不仅体积小巧，便于高密度贴装，而且具备良好的散热性能，通过PCB布局可实现有效的热管理。该器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于消费类电子、工业控制、通信模块和便携式设备等多种应用场景。

AL01BT0N2广泛应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关或电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换；在DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流管使用，以替代传统肖特基二极管，显著提升转换效率；在电机驱动电路中用于控制小功率直流电机或步进电机的通断；也可用于USB电源开关、LED驱动电路以及各类低电压电源分配系统。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适合于高频率工作的开关电源拓扑结构，如Buck、Boost和Buck-Boost变换器。在这些应用中，AL01BT0N2能够有效降低传导和开关损耗，提升整体能效，延长电池续航时间。此外，其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适用于大规模量产的电子产品制造流程。
　　在热插拔电路或电源多路复用系统中，AL01BT0N2也常被用作理想的开关元件，因其具备快速响应能力和较低的静态功耗。结合适当的栅极驱动设计，还可实现软启动功能，防止电流冲击对系统造成损害。总体而言，该器件是现代低电压、高效率电源设计中极具性价比的功率MOSFET选择之一。

AOL1403,AO2403,DMG2403U,MCH3403