时间：2023/11/9 17:30:30
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 2.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：52V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 100μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：250pF @ 35V
功率 - 最大：1.69W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-223
其它名称：NIF9N05CLT3GOS
