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AIMW120R080M1 发布时间 时间:2025/7/16 19:57:48 查看 阅读:5

AIMW120R080M1是一款由英飞凌(Infineon)推出的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于电动车充电系统、太阳能逆变器和工业电源等高要求的电力电子设备。

参数

类型:碳化硅MOSFET
  漏源电压(VDS):1200V
  漏极电流(ID):80A
  导通电阻(RDS(on)):80mΩ
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

AIMW120R080M1的主要特性包括:高耐压能力,使其能够在高电压环境下稳定工作;低导通电阻,有效降低导通损耗,提高系统效率;快速开关性能,减少开关损耗并提高工作频率;良好的热导性能,可在高温环境下可靠运行;该器件还具备出色的短路耐受能力,增强了系统的稳定性和安全性。此外,其坚固的封装设计确保了在恶劣工业环境中的长期可靠性。

应用

该器件广泛应用于电动车(EV)充电器、光伏逆变器、储能系统、不间断电源(UPS)以及工业电机驱动等高功率电力电子系统中。其高效的能量转换能力和优异的可靠性使其成为新能源和高效率电源系统中的理想选择。

替代型号

AIMW120R065M1, AIMW120R100M1

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