类型：SiC MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　漏源电流（Ids）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：120mΩ
　　封装形式：双DIP封装，绝缘型
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　短路耐受能力：600A（10μs）
　　栅极驱动电压：+20V / -5V
　　最大功耗：400W
　　绝缘电压：3000Vrms

AIMCQ120R120M1T 模块采用了先进的碳化硅MOSFET技术，使其在高开关频率下依然保持高效运行。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统的能效。该模块采用双DIP封装，具有良好的散热性能和电气隔离能力，适用于高温环境下的稳定运行。此外，该模块具备高短路耐受能力，能够在极端条件下维持稳定工作，提升了系统的可靠性和安全性。其优化的内部布局设计有助于减少寄生电感，从而降低开关过程中的电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）。
　　该模块还支持宽输入电压范围，适应多种功率拓扑结构，如降压、升压、半桥和全桥变换器等。模块的封装设计符合行业标准，便于在各种电力电子系统中安装和集成。此外，AIMCQ120R120M1T 支持快速更换和维护，提升了系统的可扩展性和维护便利性。

AIMCQ120R120M1T 广泛应用于电动汽车驱动系统、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、储能系统、工业电机驱动、UPS不间断电源、高频电源转换器以及充电基础设施等高功率场景。其高效的性能和高可靠性使其成为替代传统硅基IGBT模块的理想选择。

CMF1200120D（Cree/Wolfspeed）, MSC012SMA120AA（Microsemi）