AH102ATR-G 时间：2025/8/15 8:37:55 阅读：25

AH102ATR-G 是一款由 Diodes 公司生产的霍尔效应传感器集成电路（IC），主要用于检测磁场的存在和强度。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，具有高灵敏度、低功耗和高稳定性的特点，适用于各种工业自动化、消费电子和汽车电子应用。AH102ATR-G 采用 SOT-23-5 封装形式，便于在 PCB 上安装和集成。

参数

工作电压：2.4V 至 5.5V
　　工作电流：典型值 5μA（待机电流 <0.1μA）
　　磁感应灵敏度：典型值 35G（高灵敏度型号）
　　输出类型：开漏输出
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOT-23-5

特性

AH102ATR-G 霍尔效应传感器 IC 具有多种优异特性，适合广泛的应用场景。首先，其宽工作电压范围（2.4V 至 5.5V）使其兼容多种电源系统，包括电池供电设备和标准逻辑电压系统。其次，该器件的低功耗特性使其非常适合用于便携式设备和低功耗控制系统中，典型工作电流仅为 5μA，待机模式下电流小于 0.1μA，大大延长了电池寿命。
　　在磁感应性能方面，AH102ATR-G 提供了高灵敏度选项，典型磁感应阈值为 35G，能够可靠地检测到较弱的磁场变化。其内部集成了霍尔感应元件、信号放大器、斩波稳定电路以及输出驱动器，确保了信号的稳定性和抗干扰能力。此外，该器件具有温度稳定性好、抗机械应力能力强的特点，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　该传感器 IC 采用开漏输出结构，支持与多种外部电路接口连接，并可通过外部上拉电阻适配不同的电压电平。SOT-23-5 封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能和机械稳定性，便于自动化生产和 PCB 布局。

应用

AH102ATR-G 主要用于需要磁场检测功能的电子系统中，常见的应用包括无接触位置检测、转速测量、接近开关、门锁检测、智能手机翻盖检测、电子锁、工业自动化设备、电动工具、玩具以及汽车电子等。例如，在智能手机中，它可以用于检测翻盖状态；在工业设备中，可用于检测电机转子位置或阀门状态；在汽车应用中，可作为车门或后备箱位置传感器使用。