时间：2025/8/24 19:58:24
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AFN3406SS23RG是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）设计的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽工艺，具备低导通电阻和优异的开关性能。该器件封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于需要高效能与小型化设计的电源管理系统。
类型：N沟道
最大漏极电流：2.7A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：15nC @ 10V
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP
AFN3406SS23RG采用了先进的Trench MOSFET技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗并提高系统效率。其TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的热性能，适合在空间受限的应用中使用。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体能效。此外，AFN3406SS23RG的栅源电压阈值较低，可在4.5V至10V范围内稳定工作，适用于多种驱动电路设计。
该MOSFET具有优异的雪崩能量承受能力，增强了在高电压瞬态条件下的可靠性。其高耐用性和稳定性使其在复杂工况下仍能保持良好性能，适用于高要求的工业与消费类电子产品。
AFN3406SS23RG广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机驱动电路等。其低导通电阻和高效能特性使其成为高性能电源解决方案的理想选择。此外，该器件还可用于便携式电子设备、电源管理IC（PMIC）外围电路以及各类需要高效功率开关的场合。
Si2302DS, IRML2803, FDS6675, AO3400A
