时间：2025/8/25 5:04:17
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AFN3402AS23RG是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换系统中，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能，适用于要求高可靠性和高稳定性的工业级应用。其封装形式为DFN（Dual Flat No-leads）封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.5A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：4.2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN-8（5x6mm）
AFN3402AS23RG具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件的DFN封装不仅节省空间，还具有良好的热传导性能，有助于提高器件在高电流应用下的稳定性。此外，AFN3402AS23RG采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使其在开关过程中具备更低的开关损耗和更高的可靠性。该器件的栅极设计优化了抗静电能力（ESD），增强了在复杂电磁环境中的稳定性。由于其高栅极击穿电压（VGS Max为±20V），该MOSFET在驱动电路设计中具备更大的灵活性，适用于多种控制方案。此外，AFN3402AS23RG符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。
在热性能方面，该MOSFET的热阻（RθJA）较低，有助于在高功率密度设计中保持良好的散热效果。其封装结构还支持双面散热，进一步提升了热管理能力。在应用中，它能够承受瞬态高电流冲击，适用于如电机驱动、LED照明、同步整流等需要快速开关的场景。
AFN3402AS23RG广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED驱动器、电机控制模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。其优异的导通特性和热稳定性也使其成为车载电子系统、便携式设备电源管理单元以及智能家电中功率控制的理想选择。
SiSS14DN-T1-GE3, IRF7404, NVTFS5C471NLWFTAG, FDS6675CZ
