时间：2025/12/28 15:46:34
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LM5070MTC 是美国国家半导体（现为TI德州仪器）生产的一款高电压理想二极管控制器，用于实现负载侧的反向电流保护和二极管仿真功能。该器件适用于需要高电压工作的电源系统中，通过控制外部的N沟道MOSFET，可以替代传统的肖特基二极管，从而降低功耗、提高效率并增强系统可靠性。LM5070MTC广泛应用于电信设备、工业电源、冗余电源系统和电池供电设备中。
工作电压范围：7V 至 75V
工作电流：典型值50μA（待机模式）
导通阈值电压：典型值为 150mV
关断阈值电压：典型值为 -150mV
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TSSOP-14
LM5070MTC具有宽广的输入电压范围（7V至75V），能够适应多种高电压应用场景。该器件通过检测外部N沟道MOSFET的漏极与源极之间的电压差来控制MOSFET的导通与关断。当检测到正向电压时，MOSFET导通，允许电流通过；而当检测到反向电压时，MOSFET迅速关断，防止电流倒流，从而实现理想二极管的功能。
此外，LM5070MTC具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于提高系统能效。其内部集成了比较器、电荷泵和驱动电路，简化了外围电路设计。该控制器还具有热关断保护功能，以防止在高功耗条件下损坏器件。
由于其高集成度和高效能，LM5070MTC在冗余电源系统中特别有用，例如在双电源系统中实现无缝切换和负载共享，防止电源之间的相互干扰和电流倒灌。该器件还支持快速响应，以确保在瞬态条件下保持系统的稳定性。
LM5070MTC 主要用于高电压电源系统中的理想二极管控制，如电信设备的冗余电源模块、工业自动化设备的电源管理系统、不间断电源（UPS）、电池备份系统以及各种需要防止反向电流的负载保护场合。此外，它也适用于需要高效率替代传统肖特基二极管的电路设计，以降低压降和提高整体效率。
LM5070MM/NOPB, LM5071MM, LM7660MTC
