时间：2025/5/19 13:58:40
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AFGHL50T65SQD是一款基于碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET器件，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关特性，非常适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及其他需要高效能源转换的应用场景。
该功率MOSFET采用了先进的封装技术，能够在高温环境下稳定运行，并且具备出色的热性能和电气性能。
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 超低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统整体效率。
2. 快速开关特性，支持更高的工作频率，从而减小无源元件的体积和重量。
3. 碳化硅材料提供卓越的热稳定性和可靠性，适应极端工作条件。
4. 高温性能优异，能够在高达175℃的结温下正常运行。
5. 内置反并联二极管，进一步优化了续流能力及动态性能。
6. 采用行业标准的TO-247封装形式，便于集成与散热设计。
1. 工业电源供应器，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 太阳能光伏逆变器中的功率转换级。
3. 电动车车载充电器（OBC）和直流快充桩。
4. 电机驱动器和UPS不间断电源系统。
5. 其他要求高效能和高可靠性的电力电子装置。
CSD19536KCS, FGH50T65SMD, STP50NE65C3
