时间：2025/12/28 3:03:27
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AF82SM35 QNCH 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关特性和良好的热性能，能够在高频率和高电流条件下稳定工作。AF82SM35 QNCH 的封装形式为 TOLL（Thin Outline Large Leadframe Package），这种封装不仅有助于降低寄生电感和电阻，还提升了散热能力，适用于对空间和效率要求较高的现代电子设备。
该器件的设计目标是实现高功率密度与低损耗的平衡，因此在服务器电源、电信设备、工业控制系统以及电动汽车充电系统中得到了广泛应用。其额定电压为 80V，连续漏极电流可达 170A，表明其具备处理大功率负载的能力。此外，AF82SM35 QNCH 具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层，提高了器件在瞬态过压和过流情况下的可靠性。产品符合 RoHS 环保标准，并通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车级应用环境。
型号：AF82SM35 QNCH
制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
器件类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS)：80V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：170A @ TC=25°C
脉冲漏极电流(IDM)：680A
导通电阻(RDS(on))：典型值 2.4mΩ @ VGS=10V, 最大值 2.9mΩ @ VGS=10V
阈值电压(VGS(th))：典型值 2.7V, 范围 2.0~4.0V
输入电容(Ciss)：典型值 11500pF
输出电容(Coss)：典型值 1750pF
反向恢复时间(trr)：典型值 35ns
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +175°C
封装类型：TOLL
AF82SM35 QNCH 采用了 AOS 先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了卓越的导通和开关性能。其超低 RDS(on) 特性使得在大电流应用中功耗大幅降低，提高了整体系统的能效。例如，在同步整流或半桥/全桥拓扑结构中，该器件能够有效减少 I2R 损耗，延长系统寿命并减少散热设计复杂度。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）意味着驱动电路所需的能量更少，有利于提高开关频率并减小磁性元件体积，特别适合高频 DC-DC 变换器设计。
该器件的 TOLL 封装采用大面积铜引线框架设计，极大增强了散热能力，允许更高的功率密度。相比传统的 TO-247 或 D2PAK 封装，TOLL 在保持良好机械强度的同时，显著降低了封装电阻和电感，从而改善了电流分配均匀性和电磁兼容性（EMC）。此外，该封装支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产，提升制造效率。
AF82SM35 QNCH 还具备出色的动态性能，包括快速的开关速度和较低的反向恢复电荷（Qrr），这减少了体二极管在续流过程中的能量损耗，尤其在硬开关和零电压切换（ZVS）应用中表现优异。其坚固的栅氧层设计可承受 ±20V 的栅源电压，提升了抗噪声干扰能力，避免因栅极过压导致的器件失效。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。
AF82SM35 QNCH 主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的 VRM（电压调节模块）和 POL（点负载）转换器，其中需要低 RDS(on) 和高电流能力来满足处理器和 FPGA 的供电需求。在电信基础设施中，如 5G 基站和光传输设备，该器件可用于 DC-DC 中间母线转换器，提供稳定的 48V 至 12V 或更低电压的转换方案。
在工业领域，AF82SM35 QNCH 可用于电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业电源模块以及焊接设备中的功率开关单元。其高耐流能力和快速响应特性使其非常适合频繁启停和重载工况下的应用。此外，在新能源汽车相关系统中，如车载充电机（OBC）、DC-DC 车载变换器和充电桩内部电源管理电路，该器件也展现出良好的适应性，尤其是在需要符合 AEC-Q101 标准的场合。
由于其优异的热性能和紧凑封装，AF82SM35 QNCH 也被广泛应用于高密度板级电源设计，如多相 buck 转换器、同步整流器以及电池管理系统（BMS）中的主开关元件。其高频工作能力支持小型化滤波元件使用，有助于缩小整体电源尺寸，满足现代电子产品对轻薄化和高效化的双重需求。
AOZ6315QN
