类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　最大漏-源电压（Vds）：200V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@10A, Vgs=10V时，典型值为0.27Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值为23nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：125W

AF10Q20具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用。其次，该器件的高栅极稳定性使其能够在高频开关环境下可靠运行，减少开关损耗并提升动态性能。此外，AF10Q20具备良好的热管理能力，采用TO-252（DPAK）封装，散热性能优良，适用于高功率密度设计。
　　在可靠性方面，AF10Q20通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于车载电源系统等对可靠性要求极高的应用场景。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在突波电压冲击下的鲁棒性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许在不同控制电路条件下稳定工作，提高了设计灵活性。
　　值得一提的是，AF10Q20的快速开关特性有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而实现更紧凑的电源系统设计。其短路耐受能力也为系统提供了额外的安全保障。

AF10Q20广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。主要应用包括：同步整流电路中的主开关器件，用于提高转换效率；DC-DC转换器中的高低侧开关，适用于笔记本电脑电源适配器、服务器电源模块、通信设备电源系统等；负载开关和电池管理系统（BMS），用于新能源汽车和储能系统中的能量管理；电机控制电路中的功率开关，适用于工业自动化和智能家电设备；以及各类高功率密度的AC-DC适配器和离线式电源设计。
　　由于其通过AEC-Q101认证，AF10Q20也常用于汽车电子系统中，例如车载充电器、DC-DC转换器、电池保护电路等，满足汽车行业对元器件的高可靠性要求。

SiHP02NQ+、FDPF10N20、IRF10N20、NTPF10N20CZ、FQP10N20