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AER04210HN1WM 发布时间 时间:2025/6/27 5:09:31 查看 阅读:21

AER04210HN1WM是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的半导体制造工艺设计,适用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
  此型号属于增强型N沟道MOSFET,广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容:380pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

AER04210HN1WM具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少导通损耗,提升能效。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 优异的热稳定性,能够在宽温范围内可靠运行。
  4. 内置防静电保护功能,增强器件耐用性。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 耐雪崩能力出色,确保在异常条件下仍能正常工作。

应用

AER04210HN1WM主要应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 太阳能逆变器及其他能源转换设备。
  4. 工业自动化控制中的负载切换。
  5. 汽车电子系统,例如电动车窗、座椅调节和空调压缩机控制。
  6. 各类DC/DC转换器和AC/DC适配器。

替代型号

AER04210HN1WMA, IRFZ44N, FDP55N10E

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