AER04210HN1WM 时间：2025/6/27 5:09:31 阅读：21

AER04210HN1WM是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的半导体制造工艺设计，适用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性，能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
　　此型号属于增强型N沟道MOSFET，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极电荷：95nC
　　总电容：380pF
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247-3

特性

AER04210HN1WM具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少导通损耗，提升能效。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 优异的热稳定性，能够在宽温范围内可靠运行。
　　4. 内置防静电保护功能，增强器件耐用性。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　6. 耐雪崩能力出色，确保在异常条件下仍能正常工作。

应用

AER04210HN1WM主要应用于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
　　3. 太阳能逆变器及其他能源转换设备。
　　4. 工业自动化控制中的负载切换。
　　5. 汽车电子系统，例如电动车窗、座椅调节和空调压缩机控制。
　　6. 各类DC/DC转换器和AC/DC适配器。