时间：2025/9/8 15:23:42
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80AXF1000M25X20是一款由Vishay Siliconix生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率密度和高效能应用设计。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术，能够在低电压下提供高电流能力，适用于需要快速开关和低导通电阻的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：25A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为20mΩ（在Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：37nC（典型值）
封装类型：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C至175°C
80AXF1000M25X20的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其TrenchFET技术提供了卓越的热性能，使得器件能够在高负载条件下稳定工作。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，适合高频操作，减少了开关损耗。PowerPAK SO-8封装设计不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计和高功率密度应用。
该器件的栅极电荷较低，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，从而降低了驱动电路的复杂性和成本。同时，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适合在恶劣环境中使用。
80AXF1000M25X20广泛应用于多种高功率电子设备中，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统。在服务器电源和电信设备中，该MOSFET可用于高效的功率转换和分配。此外，它也适用于工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
SiHHX25N100DD, FDD8882, IPW90R120CDB
