型号：ADuM4190ARIZ
　　通道类型：单通道高端/低端可配置
　　隔离电压：5000 V rms（1分钟，符合UL 1577）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs（典型值）
　　输出峰值电流：4 A（拉/灌）
　　传播延迟：60 ns（典型值）
　　脉宽失真：3 ns（典型值）
　　工作电压（VDD1/VDD2）：2.8 V 至 20 V
　　开关频率：最高可达1 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8（宽体）
　　绝缘材料：聚酰亚胺
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10 VIORM = 849 VPEAK

ADuM4190ARIZ的核心特性之一是其基于iCoupler?技术的磁隔离架构，该技术通过集成在芯片上的微变压器实现信号跨隔离屏障的传输。相比传统光耦，这种结构避免了LED老化问题，具有更长的使用寿命和更高的温度稳定性。其高达150 kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）确保在高噪声环境中仍能可靠工作，有效防止因快速电压变化引起的误触发，特别适合在高频开关和高dV/dt应用中使用。该器件的输出驱动能力高达4 A峰值电流，能够快速充放电功率器件的栅极电容，显著缩短开关时间，降低导通与关断过程中的能量损耗，从而提升整体系统效率并减少热管理负担。此外，ADuM4190ARIZ支持宽输入电压范围（2.8 V至20 V），使其能够兼容多种逻辑电平（如3.3 V、5 V或15 V控制系统），增强了系统设计的灵活性。内置的欠压锁定（UVLO）功能可监测次级侧电源电压，在VDD2低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件在低电压下出现非饱和导通状态，避免过热损坏。该器件还具备极低的传播延迟（典型60 ns）和极小的脉宽失真（3 ns），保证了精确的时序控制，对于需要高精度PWM控制的应用至关重要。其SOIC-8宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足高压隔离要求，而且便于PCB布局和自动化生产。由于无需外部偏置电路或启动元件，ADuM4190ARIZ可简化系统设计，减少元器件数量，提高整体可靠性。同时，该器件对电磁干扰（EMI）具有良好的抑制能力，符合工业级EMC标准，适合部署在电机驱动、逆变器和工业自动化等复杂电磁环境中。
　　ADuM4190ARIZ还具备出色的热稳定性与长期可靠性。其材料和制造工艺经过严格验证，能够在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适用于高温工业环境或密闭空间内的电力电子设备。与其他隔离方案相比，它没有光衰问题，也不依赖电解电容等易损元件，因此在整个生命周期内性能保持一致。此外，该器件支持高达1 MHz的开关频率，满足现代高频电源转换系统对快速响应的需求，尤其适用于采用SiC或GaN等宽禁带半导体器件的先进拓扑结构。其双向数据传输能力允许状态反馈或故障检测信号回传（需外部电路配合），进一步增强系统保护机制。总体而言，ADuM4190ARIZ以其高集成度、高性能和高可靠性，成为现代高功率密度电源系统中理想的栅极驱动解决方案。

ADuM4190ARIZ广泛应用于需要高电压隔离和高性能栅极驱动的各种电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它被用于三相逆变器中驱动IGBT模块，提供精确且可靠的开关控制，支持矢量控制和直接转矩控制等先进调速算法。在太阳能光伏逆变器中，ADuM4190ARIZ用于驱动H桥或DC-DC升压电路中的功率开关，其高CMTI和快速响应能力确保在复杂地电位波动环境下依然稳定运行，提升发电效率与系统安全性。在电动汽车充电桩（尤其是直流快充）中，该器件用于隔离控制信号与高压主电路，保障操作人员安全并实现高效能量转换。在不间断电源（UPS）系统中，ADuM4190ARIZ用于半桥或全桥拓扑的开关驱动，支持市电与电池模式间的无缝切换，维持负载供电连续性。此外，它也常见于高密度开关电源（SMPS）、焊接设备、感应加热系统以及医疗电源等对电气安全和可靠性要求极高的场合。得益于其对SiC和GaN器件的良好适配性，ADuM4190ARIZ正越来越多地应用于下一代高频、高效率电源转换系统中，推动能源利用效率的持续提升。

ADuM4190WBRIZ