您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ADTVSHC3N24VU

ADTVSHC3N24VU 发布时间 时间:2025/6/30 13:59:32 查看 阅读:8

ADTVSHC3N24VU 是一款高性能的 N 治道功率场效应晶体管(MOSFET),采用先进的制程工艺制造,适用于多种高效率和高频应用。其设计特别针对低导通电阻、高开关速度和强电流处理能力进行了优化,非常适合于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器和其他需要高效能开关的应用场景。
  该器件具备出色的热性能和电气特性,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行,同时其封装形式使其易于集成到各种电路设计中。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  耐压:24V
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  最大漏极电流:30A
  栅极电荷:16nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

ADTVSHC3N24VU 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  2. 高额定电流能力,能够支持大功率负载的应用需求。
  3. 快速开关性能,适合高频操作环境,减少开关损耗。
  4. 出色的热稳定性,确保在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 小型化封装设计,便于布局紧凑的 PCB 板设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  4. LED 照明驱动器以实现高效亮度控制。
  5. 各类电池管理系统中的充放电控制开关。
  6. 数据通信和网络设备中的信号调节与传输组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP18N06

ADTVSHC3N24VU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价