时间：2025/6/30 13:59:32
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ADTVSHC3N24VU 是一款高性能的 N 治道功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的制程工艺制造，适用于多种高效率和高频应用。其设计特别针对低导通电阻、高开关速度和强电流处理能力进行了优化，非常适合于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器和其他需要高效能开关的应用场景。
该器件具备出色的热性能和电气特性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行，同时其封装形式使其易于集成到各种电路设计中。
类型：N沟道 MOSFET
耐压：24V
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
最大漏极电流：30A
栅极电荷：16nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
ADTVSHC3N24VU 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
2. 高额定电流能力，能够支持大功率负载的应用需求。
3. 快速开关性能，适合高频操作环境，减少开关损耗。
4. 出色的热稳定性，确保在极端温度条件下的可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于布局紧凑的 PCB 板设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
4. LED 照明驱动器以实现高效亮度控制。
5. 各类电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 数据通信和网络设备中的信号调节与传输组件。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP18N06
