时间：2025/6/28 18:53:07
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ADTVSHC3N12VUL1 是一款高性能的 N 没有道尔 (N-Channel) 功率 MOSFET，专为高效率和低导通电阻的应用场景设计。该器件采用 Trench 工艺制造，具备出色的开关性能和较低的导通损耗，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用。
其封装形式为超薄型 SOT 封装，能够有效节省 PCB 空间，同时提供卓越的散热性能。
最大漏源电压：12V
连续漏极电流：8.6A
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：15nC（典型值）
反向恢复时间：40ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：SOT-23-3
ADTVSHC3N12VUL1 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源及转换器。
3. 强大的电流承载能力，可满足大功率应用需求。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度 小尺寸封装，节省 PCB 布局空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动器中的功率级控制。
5. 手持式设备中的电源管理单元。
6. 数据通信设备中的信号切换与功率分配。
AO3400A, FDMT3115Z, BSC012N06NS3
