时间:2025/11/4 8:17:51
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ADSST-1843JS是一款由Advanced Semiconductor, Inc.(先进半导体公司)生产的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路保护,特别是在面对静电放电(ESD)、电涌和其它瞬态过电压事件时提供快速响应的保护机制。该器件专为高速数据线路和敏感电子元件设计,广泛应用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统中,以确保系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。ADSST-1843JS采用紧凑的SOD-123表面封装形式,具有低电容特性,适合用于保护高速信号线,如USB、HDMI、LAN接口等,不会对信号完整性造成显著影响。其工作原理基于雪崩击穿效应,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,不影响电路运行;当出现瞬态高压时,器件迅速进入低阻态,将多余能量泄放到地,从而钳制电压在安全范围内,保护后级电路不受损害。
类型:单向TVS二极管
封装/外壳:SOD-123
击穿电压(Vbr):20.0 V 至 22.2 V
反向关断电压(Vrwm):18.0 V
钳位电压(Vc):29.0 V(在Ipp = 1A条件下)
峰值脉冲电流(Ipp):最大5.0 A(8/20μs波形)
峰值脉冲功率(Ppk):100W(10×1000μs脉冲)
漏电流(Ir):≤ 1 μA @ Vrwm
电容值(Cj):典型值为10 pF @ 0V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
极性:单向
ADSST-1843JS具备出色的瞬态电压抑制能力,能够在纳秒级别内响应电压突变,有效防止因静电放电或雷击感应引起的电压尖峰损坏下游电路。其核心优势之一是低动态电阻与快速响应时间的结合,使得在遭遇高压瞬变时能迅速导通并将电压钳制在安全水平,最大限度减少对被保护设备的影响。该器件的电容值仅为10pF左右,这一特性使其非常适合应用于高频信号传输路径中,例如现代数字通信接口,避免了传统保护器件可能带来的信号衰减或失真问题。
此外,ADSST-1843JS采用SOD-123小型化封装,不仅节省PCB空间,还支持自动化贴片生产,提升了制造效率和产品一致性。其额定功率为100W,能够承受多次非重复性浪涌冲击,具备良好的耐用性和可靠性。热稳定性方面,器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于各种严苛环境下的电子系统。材料符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,满足现代电子产品对环境友好性的要求。
该TVS二极管经过严格测试,符合IEC61000-4-2(ESD ±15kV空气放电)、IEC61000-4-4(EFT)等多项国际电磁兼容性标准,确保在复杂电磁环境中仍能提供可靠防护。由于其单向结构设计,特别适用于直流电源线或单极性信号线的保护场景,例如电源输入端口、微控制器I/O引脚、传感器接口等。整体而言,ADSST-1843JS是一款高性能、高可靠性的电路保护解决方案,兼顾响应速度、电气性能与物理尺寸优化,是现代电子设计中理想的ESD和浪涌保护选择。
广泛用于便携式消费电子产品中的ESD保护,如智能手机、平板电脑、数码相机的USB和音频接口;也可用于工业控制系统的信号线防护、网络通信设备的数据端口保护、汽车电子模块中的低速信号线路防浪涌设计;适用于任何需要对直流供电线路或单极性高速信号进行瞬态电压抑制的应用场景。