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ADR444ARZ 发布时间 时间:2025/11/5 15:03:23 查看 阅读:14

ADR444ARZ是一款由Analog Devices Inc.(ADI)生产的高精度、低功耗、低压差电压基准芯片,属于其高性能电压基准产品线中的一员。该器件采用先进的带隙基准设计技术,能够在宽温度范围内提供极其稳定且精确的参考电压输出,适用于对精度和稳定性要求严苛的模拟信号链应用。ADR444ARZ的标称输出电压为2.5V,具有极低的初始精度误差,通常在±0.06%以内,确保系统在出厂时即具备高精度的校准能力。该芯片工作于较宽的电源电压范围(通常为2.8V至10V),并具备极低的静态电流消耗(典型值约为95μA),使其非常适合用于便携式设备、电池供电系统以及工业测量仪器等对功耗敏感的应用场景。封装方面,ADR444ARZ采用标准的8引脚SOIC封装(SOIC-8),便于手工焊接与自动化生产,并具备良好的热稳定性和机械可靠性。此外,该器件内部集成了输出驱动增强电路,能够提供较强的负载驱动能力,支持容性负载高达1μF而不会引起振荡,提升了在实际电路中的稳定性与适用性。

参数

型号:ADR444ARZ
  制造商:Analog Devices
  输出电压:2.5V
  初始精度:±0.06%(最大)
  温度系数:3 ppm/°C(最大,0°C 至 70°C)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  电源电压范围:2.8V 至 10V
  静态电流:95 μA(典型值)
  输出噪声:8 μVp-p(0.1 Hz 至 10 Hz)
  长斯稳定性:20 ppm/√kHr
  输出电流能力:±10 mA
  封装类型:SOIC-8

特性

ADR444ARZ的核心特性之一是其卓越的温度稳定性。该器件在整个工业级温度范围(-40°C 至 +125°C)内实现了低至3 ppm/°C的最大温度系数,这意味着在环境温度变化较大的应用场景下,其输出电压漂移极小,能够保证系统的长期测量精度。这一性能得益于ADI公司独有的曲率补偿带隙基准技术和精密激光微调工艺,有效抑制了传统带隙基准中存在的非线性温漂问题。此外,该器件还具备出色的长期稳定性,典型值为20 ppm/√kHr,意味着在长时间运行过程中,参考电压的变化极为缓慢,减少了系统需要频繁校准的需求,特别适用于高精度数据采集系统、医疗电子设备和精密测试仪器。
  另一个显著特点是其低噪声性能。ADR444ARZ在0.1 Hz至10 Hz频段内的峰峰值输出噪声仅为8 μVp-p,这在电压基准器件中处于领先水平。低频噪声直接影响ADC或DAC的分辨率和信噪比,尤其是在高分辨率(如16位及以上)模数转换系统中,微小的参考电压波动都会导致量化误差增大。因此,ADR444ARZ的超低噪声特性使其成为高分辨率ADC/DAC的理想参考源,广泛应用于精密测量、音频处理和科学仪器等领域。
  该器件还具备优异的负载调整率和线路调整率,分别达到0.3 ppm/mA和0.3 ppm/V,表明其在输入电压波动或输出负载变化时仍能维持稳定的输出电压。同时,其输出级经过优化设计,可提供高达±10 mA的输出电流驱动能力,并支持驱动高达1 μF的容性负载而不产生振荡,极大地增强了其在复杂电路中的适应性。此外,95 μA的低静态电流使其在保持高性能的同时兼顾了能效,适合部署在远程传感器节点或电池供电的嵌入式系统中。

应用

ADR444ARZ广泛应用于各类对精度、稳定性和可靠性要求极高的电子系统中。在数据转换器领域,它常被用作高分辨率模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的参考电压源,特别是在16位、18位甚至更高分辨率的精密转换系统中,其低噪声和低温漂特性可显著提升系统的有效位数(ENOB)和动态范围。在工业自动化与过程控制中,该器件用于PLC模块、温度变送器、压力传感器信号调理电路等,确保现场仪表在恶劣环境下的测量准确性。在测试与测量设备中,如数字万用表、示波器、源测量单元(SMU)等,ADR444ARZ作为核心基准源,保障了仪器的校准精度和重复性。
  此外,在医疗电子设备中,例如病人监护仪、血糖仪、心电图机等需要长期稳定工作的便携式仪器中,ADR444ARZ凭借其低功耗和高稳定性成为理想选择。在通信基础设施中,它可用于基站中的射频前端校准电路或光模块内的偏置控制回路,提供可靠的参考电压。航空航天与国防领域也常采用此类高性能基准源,用于惯性导航系统、雷达信号处理单元等关键子系统中,以满足极端环境下的可靠运行需求。总之,凡是对电压基准精度有严苛要求的应用场合,ADR444ARZ均能发挥重要作用。

替代型号

ADR444BRZ
  ADR444HRZ
  REF5025
  LT1761-2.5

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ADR444ARZ参数

  • 标准包装98
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 电压基准
  • 系列XFET®
  • 基准类型串联,精度
  • 输出电压4.096V
  • 容差±0.13%
  • 温度系数10ppm/°C
  • 输入电压4.6 V ~ 18 V
  • 通道数1
  • 电流 - 阴极-
  • 电流 - 静态3.75mA
  • 电流 - 输出10mA
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件