时间:2025/12/25 19:56:53
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ADM207EARS是Analog Devices(亚德诺半导体)推出的一款高速、低功耗、单通道隔离式栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率开关器件而设计。该器件采用ADI独有的iCoupler?磁隔离技术,将高速数字隔离器与栅极驱动器功能集成于单一紧凑型封装中,能够在高噪声工业环境中实现安全可靠的信号传输与功率控制。ADM207EARS提供4A峰值拉电流和5A峰值灌电流能力,具备出色的驱动强度,可快速对功率管的栅极进行充放电,从而显著降低开关损耗,提高系统效率。其输入侧与输出侧之间提供高达5kV rms的隔离额定值,符合UL1577和IEC/EN/DIN EN 60747-17标准,适用于需要电气隔离的高可靠性应用场合,如电机驱动、太阳能逆变器、工业电源和电动汽车充电系统等。该器件工作温度范围为-40°C至+125°C,采用16引脚窄体SOIC封装(宽体选项亦有),具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
型号:ADM207EARS
制造商:Analog Devices
类型:隔离式栅极驱动器
通道数:1
驱动器配置:低端/高端(浮动)
峰值输出电流:4A拉电流 / 5A灌电流
输出驱动电压范围:12V至20V(推荐15V)
输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
传播延迟:典型值55ns
上升时间(typ):15ns
下降时间(typ):10ns
隔离电压:5000 V rms(UL认证)
共模瞬态抗扰度(CMTI):典型值100 kV/μs
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:16-Lead SOIC_Wide
ADM207EARS的核心优势在于其结合了高性能栅极驱动能力与高可靠性的磁隔离技术。其内置的iCoupler数字隔离层采用晶圆级制造工艺,在不牺牲速度的前提下实现了卓越的隔离性能和长期稳定性,避免了传统光耦合器因老化或温度漂移导致的性能下降问题。
该器件具有非常低的传播延迟和上升/下降时间,确保在高频开关应用中保持精确的时序控制,减少上下桥臂直通风险,提升系统效率。同时,其高CMTI特性使其在高dv/dt环境下仍能稳定工作,防止误触发。
ADM207EARS支持宽范围的VDD2供电(12V–20V),适合驱动多种类型的功率器件,包括硅基IGBT/MOSFET以及第三代宽禁带半导体如碳化硅(SiC)MOSFET,后者通常需要更高的驱动电压以充分导通。
此外,该器件集成了多项保护机制,例如欠压锁定(UVLO)功能,当次级侧电源电压低于安全阈值时自动关断输出,防止功率管工作在非饱和区造成过热损坏。其输出级采用图腾柱结构,具备强驱动能力和快速放电能力,有助于减小死区时间并优化整体能效。
由于采用单通道浮地架构,ADM207EARS特别适用于半桥、全桥及谐振变换器中的高端或低端驱动场景,尤其在需要多路独立隔离驱动的设计中表现出色。其紧凑的封装形式也利于节省PCB空间,简化系统布局。
ADM207EARS广泛应用于各类需要电气隔离和高效功率开关控制的电力电子系统中。典型应用场景包括工业电机驱动器中的IGBT或SiC MOSFET驱动,其中高噪声环境要求极强的抗干扰能力和精准的驱动时序。
在可再生能源领域,该器件用于太阳能光伏逆变器和风力发电变流器中,作为DC-AC转换桥臂的驱动核心,保障系统在恶劣电网条件下的稳定运行。
在电动汽车相关设备中,它可用于车载充电机(OBC)、直流快充桩以及电驱控制器模块,满足高压隔离与高效率转换的需求。
此外,ADM207EARS也适用于不间断电源(UPS)、服务器电源(ATX/PFC级)、感应加热系统以及医疗电源等对安全隔离等级要求较高的设备。
凭借其高CMTI、快速响应和高驱动电流能力,该芯片在高频软开关拓扑(如LLC谐振转换器、相移全桥)中表现优异,能够有效降低开关损耗,提高功率密度。
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UCC21520
SIC1182K