型号：ADG431BN
　　类型：CMOS模拟开关
　　通道类型：SPST（常开型）
　　供电电压：±4.5V 至 ±16.5V（双电源），或单电源 9V 至 33V
　　逻辑电平兼容性：TTL/CMOS 兼容
　　导通电阻（R_ON）：典型值 125 Ω
　　导通电阻平坦度：典型值 5 Ω
　　关断泄漏电流：最大 5 nA（@ ±15V）
　　导通状态电荷注入：典型值 0.5 pC
　　带宽：典型值 1 MHz
　　开关时间（t_ON/t_OFF）：典型值 200 ns / 150 ns
　　输入信号范围：达到满电源轨
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-DIP（双列直插式）

ADG431BN的核心特性之一是其基于互补MOSFET结构的开关设计，这种结构结合了P-MOS和N-MOS的优点，能够在整个输入电压范围内实现均匀且较低的导通电阻。传统单一类型的MOSFET在接近电源轨时会出现R_ON显著升高的问题，而ADG431BN通过动态调节P和N通道的导通状态，确保即使在信号接近正负电源电压时也能维持稳定的低阻抗通路，从而实现真正的“轨到轨”信号切换能力。这一特性对于高保真音频信号处理、精密传感器接口或多路复用的数据采集系统尤为重要。
　　其次，ADG431BN具备极低的静态功耗。由于其采用的是CMOS技术，仅在开关状态切换瞬间产生动态功耗，稳态下几乎没有电流消耗。典型的输入偏置电流仅为皮安级别，关断状态下的漏电流也控制在几纳安以内，因此非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景，例如便携式医疗设备、无线传感节点或远程监控终端。此外，该器件的电荷注入效应被优化至0.5pC左右，在每次开关动作时引入的瞬态误差极小，有助于提升ADC前端多路复用器的测量精度。
　　再者，ADG431BN拥有良好的动态响应性能。其开启时间和关闭时间分别约为200ns和150ns，支持中高频信号的快速切换。虽然不适用于GHz级射频应用，但对于音频、视频、工业I/O信号等常规频率范围已足够。配合高达1MHz的信号带宽，可满足大多数模拟信号路由需求。另外，器件内部集成了逻辑电平转换电路，允许使用较低电压（如+3V或+5V）的数字控制信号来驱动高压模拟通道，增强了与现代微控制器或FPGA的兼容性。
　　最后，ADG431BN在可靠性方面表现突出。其采用的封装形式具备良好的热稳定性和机械强度，能够在较宽的温度范围内长期稳定运行。所有参数均经过严格的出厂测试，并提供完整的数据手册支持，便于工程师进行电路仿真与系统验证。综合来看，ADG431BN是一款兼顾性能、功耗与可靠性的通用型高压模拟开关，特别适用于要求高精度、低失真的模拟信号管理应用。

ADG431BN常用于需要对高压或双极性模拟信号进行程控切换的系统中。典型应用场景包括数据采集系统中的多路复用器模块，其中多个传感器输出通过ADG431BN依次连接至模数转换器（ADC）输入端，实现高效的时间分片采样。由于其支持轨到轨操作和低电荷注入特性，能够最大限度减少通道切换带来的瞬态误差，提高整体测量精度。此外，在自动测试设备（ATE）中，ADG431BN可用于构建灵活的信号路由网络，将不同待测器件（DUT）连接至共用的激励源或测量单元，从而简化系统架构并降低成本。
　　在工业控制系统中，ADG431BN可用于过程信号的选择与隔离，例如在PLC（可编程逻辑控制器）中切换不同的4-20mA电流环路或热电偶输入。其高电压承受能力和低泄漏电流保证了在恶劣电磁环境下的稳定运行。同时，该器件也适用于通信系统中的音频信号切换，如电话交换机、语音记录设备或广播调音台，能够在不影响音质的前提下完成通道选择。
　　此外，ADG431BN还可用于医疗电子设备，如心电图（ECG）或脑电图（EEG）监测仪中，用于切换不同体表电极输入。在这种高灵敏度生物电信号检测应用中，低噪声、低偏置电流和高输入阻抗至关重要，而ADG431BN恰好能满足这些要求。其他应用还包括函数发生器、示波器探头补偿电路、电池管理系统中的电压采样切换等。总之，凡是涉及模拟信号路径控制且对精度和稳定性有较高要求的场合，ADG431BN都是一种可靠的选择。

ADG431BRZ
　　ADG431BRT
　　DG431BDJ