时间:2025/12/28 11:50:31
阅读:7
ADE-35+ 是一款由Mini-Circuits公司生产的无源射频二极管电桥混频器,广泛应用于高频和微波通信系统中。该器件基于双平衡二极管环结构设计,能够在较宽的频率范围内实现良好的端口匹配、高隔离度以及出色的互调性能。ADE-35+ 主要用于上变频或下变频应用,适合在需要高线性度和低失真表现的系统中使用,例如无线基础设施、测试测量设备、雷达系统和宽带接收机等。该混频器无需直流供电,依靠外部本振(LO)信号驱动内部肖特基二极管环进行非线性混频操作,从而生成和频与差频信号。其封装形式为小型表面贴装(SMD),便于集成到紧凑型PCB布局中,并具有良好的热稳定性和机械可靠性。工作温度范围通常覆盖工业级标准,适用于各种严苛环境下的射频前端设计。
工作频率(RF/IF):0.01 MHz - 2000 MHz
本振频率(LO):0.01 MHz - 2000 MHz
转换损耗:典型值7.0 dB
LO驱动电平:+7 dBm 至 +17 dBm
输入IP3(IIP3):典型值+20 dBm
端口隔离度(LO-RF):典型值25 dB
端口隔离度(LO-IF):典型值25 dB
端口隔离度(RF-IF):典型值20 dB
VSWR(各端口):最大2.0:1
阻抗:50 Ω
封装类型:Surface Mount
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
ADE-35+ 采用高性能硅肖特基二极管构成的双平衡环形混频器结构,在没有外部电源的情况下即可完成射频信号与本振信号的混频过程。这种无源设计显著降低了系统的功耗需求,并避免了有源器件可能引入的噪声和偏置复杂性。其核心优势之一是宽频带操作能力,覆盖从近直流到2 GHz的广泛频率范围,使其能够兼容多种调制格式和通信标准,包括GSM、CDMA、WCDMA、LTE乃至部分5G sub-6GHz频段的应用场景。转换损耗典型值为7.0 dB,虽然高于有源混频器,但在适当的增益级配合下仍可满足大多数接收链路预算要求。
该器件具备优异的线性性能,输入三阶截点(IIP3)典型值高达+20 dBm,表明其在强干扰信号环境下仍能保持较低的互调失真水平,这对于多载波接收系统或存在密集邻道信号的应用至关重要。此外,LO-RF和LO-IF之间的隔离度达到25 dB以上,有效减少了本振泄漏对射频前端和中频处理电路的影响,提高了系统整体的电磁兼容性(EMC)。所有端口均设计为50欧姆阻抗匹配,简化了PCB布局中的阻抗控制难度,并支持直流接地路径以增强低频响应稳定性。
由于采用表面贴装封装,ADE-35+ 可直接焊接于高频PCB上,适合自动化批量生产。其小型化尺寸有助于节省宝贵的电路板空间,特别适用于便携式仪器、软件定义无线电(SDR)平台以及分布式天线系统(DAS)中的远程射频单元。工作温度范围宽达-55°C至+85°C,确保在极端气候条件或工业环境中依然稳定运行。总体而言,ADE-35+ 是一款高可靠性、高性能的通用型无源混频器,适用于对长期稳定性与信号完整性要求较高的射频设计项目。
ADE-35+ 广泛应用于各类需要频率转换功能的射频与微波系统中。常见用途包括通信基站的上下变频模块、测试与测量仪器如频谱分析仪和信号发生器中的混频前端、软件定义无线电(SDR)平台的可重构收发通道、雷达信号处理单元以及卫星通信地面站设备。此外,它也适用于工业、科学和医疗(ISM)频段内的无线传输系统,以及需要高动态范围和低互调失真的专业接收机设计。由于其宽频带特性,ADE-35+ 常被用于宽带侦测、电子战(EW)系统和频谱监测设备中,作为关键的频率变换元件。在实验室研发环境中,该器件因其无需偏置、易于使用的特点,常被工程师用于快速原型验证和系统调试。其高隔离度和良好端口匹配性能也使其成为构建平衡-不平衡变换(Balun)功能集成化混频电路的理想选择,尤其在差分架构的射频前端中表现出色。无论是在民用通信还是军用电子系统中,ADE-35+ 都展现了出色的适应性和稳定性,是一款经过市场验证的成熟射频组件。