ACT4070BYH 时间：2025/8/16 5:46:37 阅读：23

ACT4070BYH 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)），同时具备较高的电流承载能力和耐压性能。ACT4070BYH 适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：70A
　　导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

ACT4070BYH 具备一系列优异的电气特性和物理特性，使其成为高功率应用的理想选择。
　　首先，该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，使其导通电阻 Rds(on) 非常低，典型值为 7.5mΩ，在 Vgs=10V 时能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。
　　其次，ACT4070BYH 具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 70A，这使其适用于需要高电流输出的应用，如 DC-DC 转换器和电机控制电路。
　　此外，该器件的漏源电压额定值为 30V，能够承受较高的电压应力，提高了电路的稳定性和可靠性。同时，其栅源电压范围为 ±20V，提供了较大的驱动灵活性。
　　在热管理方面，ACT4070BYH 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下依然保持稳定的工作温度。
　　最后，ACT4070BYH 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能够在极端温度环境下正常工作，适应性强。

应用

ACT4070BYH 广泛应用于多种电源管理和功率控制场合。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的系统中。此外，ACT4070BYH 也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及便携式电子产品中的电源管理模块。