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ACT4070BYH 发布时间 时间:2025/8/16 5:46:37 查看 阅读:24

ACT4070BYH 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件采用先进的沟槽技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on)),同时具备较高的电流承载能力和耐压性能。ACT4070BYH 适用于多种电源管理应用,包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):70A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):134W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

ACT4070BYH 具备一系列优异的电气特性和物理特性,使其成为高功率应用的理想选择。
  首先,该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术,使其导通电阻 Rds(on) 非常低,典型值为 7.5mΩ,在 Vgs=10V 时能够显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。
  其次,ACT4070BYH 具有较高的电流承载能力,最大连续漏极电流可达 70A,这使其适用于需要高电流输出的应用,如 DC-DC 转换器和电机控制电路。
  此外,该器件的漏源电压额定值为 30V,能够承受较高的电压应力,提高了电路的稳定性和可靠性。同时,其栅源电压范围为 ±20V,提供了较大的驱动灵活性。
  在热管理方面,ACT4070BYH 采用 TO-252(DPAK)封装,具备良好的热性能,能够有效散热,确保器件在高负载条件下依然保持稳定的工作温度。
  最后,ACT4070BYH 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,能够在极端温度环境下正常工作,适应性强。

应用

ACT4070BYH 广泛应用于多种电源管理和功率控制场合。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流承载能力,该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的系统中。此外,ACT4070BYH 也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及便携式电子产品中的电源管理模块。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDS4410A, FDS4410A

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