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ACT191 发布时间 时间:2025/12/27 18:16:25 查看 阅读:9

ACT191是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率、低功耗同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于需要高效电源管理的便携式设备和嵌入式系统中。该器件采用电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,同时提供精确的输出电压调节。ACT191特别适用于对空间和功耗敏感的应用场景,因其高度集成的设计减少了外部元件数量,从而节省了PCB面积并降低了整体系统成本。该芯片内置功率MOSFET,支持连续导通模式(CCM)和脉冲频率调制(PFM)模式之间的自动切换,在轻载条件下显著提升转换效率,延长电池寿命。此外,ACT191具备多种保护功能,如过流保护、过温保护和输出短路保护,增强了系统的可靠性与安全性。其小型封装形式(如DFN或SOT-23)使其非常适合用于智能手机、平板电脑、物联网节点、可穿戴设备以及各类低功耗工业传感器等应用领域。

参数

类型:同步整流降压DC-DC转换器
  输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 3.6V(可调)
  最大输出电流:1.2A
  开关频率:1.8MHz
  工作效率:高达95%
  静态电流:30μA(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:DFN-6(2mm x 2mm)
  控制方式:电流模式PWM/PFM自动切换
  反馈参考电压:0.6V ±2%

特性

ACT191采用先进的电流模式控制架构,能够实现快速的瞬态响应和优异的负载调整率。该控制方式通过实时监测电感电流来调节占空比,确保在输入电压波动或负载突变时仍能维持稳定的输出电压。这种架构还提高了环路稳定性,简化了外部补偿网络的设计,通常仅需少量的电阻和电容即可完成补偿配置,进一步减少了外围元件数量。
  芯片集成了低导通电阻的P沟道和N沟道MOSFET作为上下管,有效降低了导通损耗,提升了整体转换效率。特别是在重载条件下,同步整流技术避免了传统肖特基二极管的压降损失,使得能量转换更加高效。而在轻载或待机状态下,ACT191自动进入PFM模式,大幅降低开关频率和驱动损耗,将静态电流控制在极低水平(典型30μA),这对于延长电池供电设备的续航时间至关重要。
  为了适应不同的应用需求,ACT191支持外部电阻分压网络对输出电压进行精确调节,基准电压为0.6V,精度可达±2%,保证了输出电压的高度准确性。同时,芯片内部集成了软启动电路,防止启动过程中产生过大的浪涌电流,保护电源系统免受冲击。
  在保护机制方面,ACT191具备全面的安全设计,包括逐周期限流保护、输出短路保护以及热关断功能。当芯片结温超过安全阈值(通常为150°C)时,热关断电路会自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作,从而避免因过热导致的永久性损坏。这些特性共同构成了一个高可靠性的电源解决方案,适用于严苛的工作环境。

应用

ACT191广泛应用于各种便携式电子设备中,尤其是在对能效和体积要求较高的场合表现突出。例如,在智能手机和平板电脑中,它常被用于为主处理器、内存模块或摄像头模组提供稳定的低压电源。由于其高效率和小尺寸封装,非常适合用于空间受限的主板布局。
  在物联网(IoT)设备中,如无线传感器节点、智能家居终端和远程监控装置,ACT191能够以极低的静态功耗长时间维持系统运行,显著延长电池使用寿命。其宽输入电压范围也允许直接连接单节锂离子电池或两节碱性电池供电,无需额外的前置稳压电路。
  此外,该芯片也适用于可穿戴设备,如智能手表、健康监测手环等,这类产品通常依赖小型电池供电且对发热极为敏感。ACT191的高效率和低热耗散特性有助于保持设备表面温度在舒适范围内,提升用户体验。
  在工业控制领域,ACT191可用于为微控制器单元(MCU)、传感器信号调理电路或通信接口(如I2C、SPI)供电。其良好的瞬态响应能力和抗干扰性能确保了控制系统在复杂电磁环境下依然稳定运行。总之,凡是需要高效、紧凑、可靠的直流电源转换方案的应用场景,ACT191都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

AP2112K-3.3TRG1
  TPS62130DSGR
  MP2315DJ-LF-Z

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