工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大工作电压（集电极-发射极）：30V
　　最大集电极电流：100mA
　　最大LED正向电流：60mA
　　最大耗散功率：100mW
　　隔离电压（输入-输出）：2500Vrms
　　电流传输比（CTR）：通常为20%-400%（随型号不同而变化）
　　响应时间：上升时间约为2μs，下降时间约为3μs
　　封装类型：6-DIP

4N35S-TA1-AD具有多种优良特性，适用于多种电子应用。其主要特点包括优异的电气隔离性能，可承受高达2500Vrms的隔离电压，确保输入与输出电路之间的安全隔离。该器件的CTR（电流传输比）范围较宽，通常在20%-400%之间，可根据不同应用场景提供稳定的信号传输能力。
　　此外，4N35S-TA1-AD采用了紧凑的6-DIP封装，便于在印刷电路板（PCB）上安装，并且具有良好的机械稳定性和热稳定性。该光耦合器的响应时间较快，上升时间约为2μs，下降时间约为3μs，适用于中速信号隔离和传输应用。
　　该器件的LED部分具有较低的正向电压降（通常为1.2V-1.4V），可以在低功耗条件下工作。同时，光电晶体管部分的最大集电极电流为100mA，支持较高的负载能力。4N35S-TA1-AD的工作温度范围宽，可在-55°C至+100°C的环境中稳定运行，适用于工业级应用。

4N35S-TA1-AD广泛应用于需要电气隔离和信号转换的电路中。常见的应用包括工业自动化控制系统、PLC（可编程逻辑控制器）、电源管理系统、交流/直流转换器、继电器驱动电路、电动机控制电路、隔离放大器前端电路等。
　　在电源管理领域，4N35S-TA1-AD常用于反馈电路中，作为隔离控制信号的传输元件，确保主电路与控制电路之间的安全隔离。在电机控制和继电器驱动中，该光耦合器用于将控制信号与高电压或高电流负载隔离，防止干扰和损坏控制电路。
　　此外，4N35S-TA1-AD也常用于通信接口电路中，如RS-232、RS-485等通信标准的信号隔离，以提高系统的抗干扰能力和可靠性。

4N35、4N25、PC817、TLP521、HCPL-2630