ACPM-2002-TR1 是由 Advanced Monolithic Devices(AMD)生产的一款 GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit,单片微波集成电路)功率放大器芯片,工作频率范围覆盖从 DC 到 18 GHz。该芯片专为需要高线性度和高输出功率的射频和微波应用而设计,常用于无线通信、雷达、测试仪器和宽带放大器系统中。ACPM-2002-TR1 采用表面贴装封装(SMT),适合高频率电路的集成设计。
工作频率:DC - 18 GHz
增益:典型值 20 dB
输出功率(Pout):典型值 28 dBm(在1 dB压缩点)
电源电压:+5V
电流消耗:典型值 300 mA
封装类型:6 引脚 SOT-363(SC-70)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
ACPM-2002-TR1 具备宽频带操作特性,其工作频率覆盖从直流至18 GHz,适用于多种射频和微波应用场景。该器件采用 GaAs(砷化镓)工艺制造,具备良好的高频性能和稳定性,同时具有高线性度,使其在需要低失真的通信系统中表现优异。在+5V单电源供电下,ACPM-2002-TR1 的电流消耗仅为约300 mA,功耗控制良好,适合便携式或低功耗设备使用。该芯片的封装为6引脚 SOT-363(SC-70),体积小巧且易于集成到高频PCB设计中,同时支持表面贴装技术,提高了生产效率和可靠性。此外,该放大器具有良好的热稳定性和抗干扰能力,在复杂环境中仍能保持稳定的工作性能。芯片内部集成输入和输出匹配网络,减少了外部元件的数量,简化了设计流程,提高了系统的整体集成度。ACPM-2002-TR1 的高输出功率(在1 dB压缩点达到28 dBm)使其能够胜任高功率需求的射频前端设计,如无线基站、测试设备和微波中继系统。
该芯片的高增益特性(典型值20 dB)结合其宽带性能,使其在多频段或多标准通信系统中具有很高的灵活性。此外,其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了其在恶劣环境下的可靠性,适用于工业级和军事级应用。
ACPM-2002-TR1 主要应用于高频射频和微波系统,包括无线通信基础设施(如基站和微波回传系统)、测试与测量设备(如信号发生器和频谱分析仪)、雷达系统、卫星通信、宽带放大器以及工业和军事级射频前端模块。由于其高线性度和宽频带特性,该芯片也适用于多标准通信系统(如WiMAX、LTE和5G原型设计)中的功率放大需求。
HMC414LCB, APM27041, ATF-54143, CGH40025