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ACNT-H511-000E 发布时间 时间:2025/9/23 17:40:48 查看 阅读:9

ACNT-H511-000E是一款由Broadcom(博通)公司推出的高性能、高隔离电压的单通道光耦合器,广泛应用于工业自动化、电源系统、电机控制以及需要电气隔离的通信接口中。该器件采用先进的封装技术,提供优异的抗噪声能力和长期稳定性,适用于在恶劣电磁环境下工作的关键系统。ACNT-H511-000E属于Broadcom的High-Speed Optocoupler系列,专为高速数字信号隔离而设计,支持高达50Mbps的数据传输速率,满足现代高速控制系统对响应速度和可靠性的严苛要求。该光耦内部集成了一个高效率的LED光源和一个集成式光电探测器电路,输出端带有施密特触发器整形功能,可有效抑制输入信号中的噪声干扰,确保输出信号的干净与稳定。此外,该器件具备高工作绝缘电压(VIORM达1200VPEAK),符合UL、CSA、VDE等国际安全标准,支持增强型隔离等级,适用于需要高安全性和高可靠性的应用场合。

参数

型号:ACNT-H511-000E
  通道数:1
  数据速率:50 Mbps
  隔离电压:3750 Vrms(1分钟,UL 1577)
  工作温度范围:-40°C 至 +105°C
  供电电压(VCC):2.7V 至 5.5V
  输出类型:推挽式(CMOS兼容)
  传播延迟:典型值40ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):±100 kV/μs
  最大电流传输比(CTR):不适用(数字光耦)
  封装类型:SO-6 宽体
  安全认证:UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5(VDE 0884-10 认证)
  爬电距离:8 mm
  电气间隙:8 mm
  最大功耗:150 mW

特性

ACNT-H511-000E具备卓越的电气隔离性能,其隔离额定值高达3750 Vrms,支持增强型隔离,能够在高压差环境中安全地传递信号,防止接地环路、噪声干扰以及高压对低压控制电路的损害。该器件采用宽体SO-6封装,具有8mm的爬电距离和电气间隙,显著提升了在污染等级较高的工业环境中的长期可靠性。其高共模瞬态抗扰度(CMTI)达到±100 kV/μs,确保在存在快速电压变化(如变频器、逆变器开关过程中)的场景下,输出信号不会发生误触发或失真,从而保障系统的稳定运行。
  在信号传输方面,ACNT-H511-000E支持高达50Mbps的高速数据通信,远超传统光耦的传输能力,适用于SPI、I2C、UART等数字接口的隔离设计。其内置的施密特触发器输出级提供了良好的噪声抑制能力,能够有效消除输入信号边沿抖动,输出干净的方波信号,特别适合用于精密控制和实时反馈系统。此外,该器件的工作温度范围宽达-40°C至+105°C,适应严苛的工业和汽车级应用环境,且无需外部偏置元件,简化了电路设计。
  ACNT-H511-000E还具备低功耗特性,供电电压范围为2.7V至5.5V,兼容低电压逻辑系统,有助于降低整体系统能耗。其LED驱动电流较低,延长了LED寿命,提高了长期工作的稳定性。所有这些特性使得ACNT-H511-000E成为工业PLC、伺服驱动器、开关电源反馈控制、电池管理系统(BMS)、医疗设备隔离接口等高端应用的理想选择。

应用

ACNT-H511-000E广泛应用于需要高速、高可靠性信号隔离的各种工业和电力电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC输入/输出模块、现场总线隔离、电机驱动控制信号传输等场景,确保控制器与执行器之间的安全通信。在电源系统中,它被用于DC-DC转换器、AC-DC电源的反馈回路隔离,以及数字电源的PWM信号隔离,提升系统的效率和稳定性。此外,在电动汽车和储能系统中,该光耦可用于电池管理系统(BMS)中的电压和温度采集信号隔离,保障高压电池组与低压控制单元之间的安全信息交互。
  在可再生能源领域,如光伏逆变器和风力发电控制系统中,ACNT-H511-000E用于隔离MCU与IGBT/MOSFET驱动信号,防止功率侧噪声影响控制侧,提高系统抗干扰能力。在医疗电子设备中,由于其符合严格的安全隔离标准,也被用于病人连接设备中的信号隔离,确保患者安全。同时,该器件也适用于测试测量仪器、通信基站电源模块以及需要长距离信号传输且存在地电位差的RS-485/CAN总线隔离接口设计。其高数据速率和稳定性使其成为替代传统光耦的优选方案。

替代型号

HCPL-5510
  ACPL-C511
  SI8610BB-B-IS1

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ACNT-H511-000E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥44.17000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离7500Vrms
  • 电流传输比(最小值)31% @ 12mA
  • 电流传输比(最大值)80% @ 12mA
  • 接通 / 关断时间(典型值)150ns,400ns
  • 上升/下降时间(典型值)-
  • 输入类型DC
  • 输出类型晶体管
  • 电压 - 输出(最大值)24V
  • 电流 - 输出/通道12mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)1.45V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)20 mA
  • Vce 饱和压降(最大)-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.535",13.60mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SO 伸展式