ACMD7602TR1 时间：2025/9/16 1:53:33 阅读：5

ACMD7602TR1 是一款由 Diodes 公司生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率效率。该器件适用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的高频开关应用。ACMD7602TR1 采用节省空间的 8 引脚 TSOP 封装，适合便携式电子设备和高密度 PCB 设计。

参数

类型：MOSFET（双通道N沟道）
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：4.6A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=2.5V
　　功率耗散(PD)：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

ACMD7602TR1 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高频开关应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。该 MOSFET 使用先进的 Trench 技术，提供优异的热性能和电气性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。器件的栅极驱动电压范围宽，支持从 2.5V 到 4.5V 的逻辑电平控制，兼容多种控制器和驱动电路。此外，ACMD7602TR1 具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
　　该器件的双通道设计使其能够在多个负载管理电路中使用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和 LED 背光控制。其 TSOP 封装提供了良好的散热性能，并有助于减少 PCB 占用空间，适合移动设备和小型化电子产品。ACMD7602TR1 还具备良好的 ESD 保护性能，提升了器件在复杂电磁环境中的可靠性。

应用

ACMD7602TR1 主要应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。其低导通电阻和高效率特性也使其适用于电池供电设备的负载开关控制、DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动电路。此外，该器件还可用于工业控制系统、LED 照明调光电路以及各种需要高效、小尺寸功率 MOSFET 的应用场合。