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DMN53D0L-7 发布时间 时间:2025/7/8 16:24:48 查看 阅读:9

DMN53D0L-7 是一款 N 沣道 Mosfet,属于 Vishay 公司的 SiHF 系列。该器件采用小型化封装设计(SOT-23 封装),具有低导通电阻和快速开关性能,适合用于空间受限的应用场景。
  其主要特点包括高效率、低功耗以及出色的热稳定性,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。

参数

型号:DMN53D0L-7
  品牌:Vishay
  类型:N 沆道 MOSFET
  封装:SOT-23
  最大漏源电压 (Vds):60V
  最大栅源电压 (Vgs):±20V
  连续漏极电流 (Id):1.4A
  导通电阻 (Rds(on)):0.85Ω(在 Vgs=10V 时)
  总栅极电荷 (Qg):4nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  功耗:0.9W

特性

DMN53D0L-7 的核心优势在于其优异的电气特性和紧凑的封装形式。首先,它具备非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  其次,该器件具有较低的栅极电荷 (Qg),从而实现了更快的开关速度,这对高频应用尤为重要。
  此外,它的 SOT-23 封装使得其非常适合于对 PCB 空间要求较高的场合。同时,宽泛的工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠运行。
  最后,DMN53D0L-7 的高击穿电压(Vds = 60V)提供了良好的保护能力,防止过压情况导致的损坏。

应用

DMN53D0L-7 广泛适用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或低端开关元件。
  2. DC-DC 转换器的功率开关。
  3. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  4. LED 驱动电路中的驱动晶体管。
  5. 电池管理系统的保护与切换功能。
  6. 各类工业自动化控制系统中的信号调理与功率传输模块。
  总之,任何需要高效能、小尺寸解决方案的地方都可以考虑使用 DMN53D0L-7。

替代型号

DMN53D0L-7A, DMN53D0L-7B

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DMN53D0L-7参数

  • 现有数量44,067现货
  • 价格1 : ¥3.02000剪切带(CT)3,000 : ¥0.53373卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)500mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)46 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)370mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3