ACMD-6407-TR1 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提升效率。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能开关性能的应用场景。其出色的热特性和电气性能使其成为许多高要求应用的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:25A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:1800pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
ACMD-6407-TR1 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
3. 优秀的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
4. 强大的过流保护能力,确保在异常条件下器件的安全运行。
5. 可靠性高,适合长时间连续工作的工业环境。
6. 封装形式坚固耐用,便于散热设计和安装。
这些特性使得 ACMD-6407-TR1 成为众多电力电子应用中的核心组件之一。
ACMD-6407-TR1 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,用于提高转换效率和降低发热量。
2. 电机驱动电路,作为主功率开关元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块。
5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和电动助力转向系统(EPS)。
6. 各类直流-直流转换器和升压/降压电路中作为关键功率开关器件。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5570N
AON6920