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ACMD-6407-TR1 发布时间 时间:2025/4/29 16:44:58 查看 阅读:3

ACMD-6407-TR1 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提升效率。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能开关性能的应用场景。其出色的热特性和电气性能使其成为许多高要求应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  输入电容:1800pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220

特性

ACMD-6407-TR1 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
  3. 优秀的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
  4. 强大的过流保护能力,确保在异常条件下器件的安全运行。
  5. 可靠性高,适合长时间连续工作的工业环境。
  6. 封装形式坚固耐用,便于散热设计和安装。
  这些特性使得 ACMD-6407-TR1 成为众多电力电子应用中的核心组件之一。

应用

ACMD-6407-TR1 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用于提高转换效率和降低发热量。
  2. 电机驱动电路,作为主功率开关元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块。
  5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和电动助力转向系统(EPS)。
  6. 各类直流-直流转换器和升压/降压电路中作为关键功率开关器件。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5570N
  AON6920

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