工作频率：50 MHz 至 40 GHz
　　插入损耗：典型值 0.3 dB（频率 < 20 GHz）
　　隔离度：典型值 35 dB @ 10 GHz
　　开关时间：典型值 50 ns
　　阻抗匹配：50 Ω
　　电源电压：3.3 V 或 5 V
　　封装类型：Die（裸片）形式
　　控制电压：CMOS/TTL 兼容

ACMD-6407-HW1 以其卓越的射频性能和可靠性在同类产品中脱颖而出。
　　首先，该器件的工作频率范围非常宽，可覆盖从 50 MHz 到 40 GHz 的频段，使其适用于多种射频和微波应用场景。这种高频能力使得它成为测试仪器、微波通信设备以及高频信号路由的理想选择。
　　其次，ACMD-6407-HW1 在工作频率范围内表现出极低的插入损耗，典型值在 20 GHz 以下为 0.3 dB，即使在更高频率下也保持较低水平，确保了信号传输的完整性。同时，其高隔离度（在 10 GHz 时典型值为 35 dB）能够有效减少通道之间的信号干扰，提升系统整体性能。
　　该器件采用 GaAs HEMT 技术制造，具备优异的高频特性和稳定性。裸片（Die）形式的封装适用于需要高集成度的应用场景，例如多芯片模块（MCM）和定制射频电路设计。此外，其控制端支持 CMOS/TTL 电平，便于与数字控制系统直接连接，简化了设计复杂度。
　　ACMD-6407-HW1 的开关速度快，典型开关时间为 50 ns，适合需要快速切换的应用。电源电压支持 3.3 V 或 5 V 操作，增强了其在不同系统环境下的兼容性。

ACMD-6407-HW1 主要用于高性能射频信号切换场合，包括无线基站、测试与测量设备、雷达系统、卫星通信、工业控制和射频自动测试设备（ATE）等。其高频特性和低插入损耗使其在微波频率下的信号路由和开关控制中表现出色，尤其适合需要高可靠性和稳定性的关键应用。

HMC642ALC4B, PE42642-10