类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-2.3A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.6A
　　导通电阻RDS(on)：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：70mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　功率耗散（PD）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

ACA1102FTM采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了低导通电阻与优异的开关性能之间的良好平衡。其核心优势在于RDS(on)值在低栅极驱动电压下仍保持较低水平，例如在VGS = -4.5V时仅为55mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件VGS = -2.5V下也能达到70mΩ，这使得它非常适合用于由3.3V或更低电压系统直接驱动的场合。这种特性显著降低了导通损耗，提升了电源系统的转换效率，尤其在电池供电设备中能够有效延长续航时间。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于其优化的栅极结构设计，输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss）均处于合理范围，减少了开关过程中的能量损耗和延迟。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的瞬态电流较小，有利于简化驱动设计并降低外围元件成本。此外，ACA1102FTM具备良好的热稳定性，芯片内部结构经过优化以实现均匀的电流分布，避免局部过热导致的失效风险。
　　在可靠性方面，ACA1102FTM通过了严格的AEC-Q101认证前测试流程（若用于车规级版本），具备较强的抗静电放电（ESD）能力，典型HBM模型下可承受超过2000V的静电冲击。其封装采用成熟的塑封工艺，具有良好的湿气抵抗性和机械强度，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业级应用需求。此外，该器件无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色制造理念。由于其高度集成化的设计，仅需极少的外围元件即可完成基本功能配置，极大简化了PCB布局布线难度，特别适合高密度组装的便携式电子产品使用。

ACA1102FTM广泛应用于各类需要高效电源控制的电子系统中。在便携式消费类电子产品领域，它常被用作电池供电路径的主控开关，实现对后级电路的上电/断电管理，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同模块的电源域切换。由于其低静态功耗和快速响应特性，非常适合用于负载开关电路，可在待机状态下切断不必要的电源支路，从而显著降低整机待机功耗。
　　在电源管理系统中，ACA1102FTM可用于同步降压变换器的上管或下管配置（视拓扑而定），尤其是在非隔离式DC-DC转换器中作为高端开关使用。其低RDS(on)特性有助于减少传导损耗，提高整体转换效率，特别适用于输出电流适中但对能效要求较高的应用场景。此外，该器件也适用于过压保护、反向极性保护和热插拔控制电路，凭借其可控的导通状态和耐压能力，能够在异常情况下及时切断负载以保护后级电路安全。
　　在物联网设备、可穿戴设备和无线通信模块中，由于空间和功耗限制极为严格，ACA1102FTM的小尺寸封装和低功耗表现使其成为理想选择。它可以集成在PMU（电源管理单元）周围，协助完成多路电源的顺序启停控制。此外，在LED驱动电路、电机驱动桥臂以及小型继电器驱动电路中也有广泛应用。得益于其稳定可靠的工作性能和国产供应链保障，该型号正逐步替代部分进口品牌P-MOSFET，在国产化项目中占据重要地位。