时间：2025/6/6 11:44:04
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AC1210JKNPOBBN182 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，属于安森美（ON Semiconductor）推出的 Advanced Class 系列。该系列 MOSFET 针对高效率、低功耗应用进行了优化设计，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
这款器件采用了先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，从而显著提升了系统的整体性能。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，支持表面贴装技术 (SMT)，适合自动化生产。
型号：AC1210JKNPOBBN182
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：16mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：30A
Qg（总栅极电荷）：30nC
Eoss（输出电容能量）：90nJ
Pd（功率耗散）：125W
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
AC1210JKNPOBBN182 的主要特点是低导通电阻和高效率，同时具备以下优势：
1. 极低的 Rds(on) 值（16mΩ），能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 较高的 Vds 额定值（100V），确保在高压环境下稳定运行。
4. 支持大电流操作（Id=30A），满足高功率需求。
5. 采用 DPAK 封装，具有良好的散热性能和机械强度。
6. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种恶劣环境条件。
此外，该器件还具备较低的栅极电荷 Qg 和输出电容能量 Eoss，进一步降低了开关损耗。
AC1210JKNPOBBN182 广泛应用于需要高效能功率转换的场合，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 通信设备、工业控制及消费电子中的功率管理模块。
由于其出色的电气性能和可靠性，该器件特别适合要求高效率和紧凑设计的应用场景。
AC1210JKN, IRFZ44N, FDP55N10
