ABA-52563-TR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的射频(RF)放大器集成电路,专为高性能通信系统和射频应用设计。该器件是一款低噪声放大器(LNA),工作频率范围广泛,适用于无线基础设施、基站、工业和医疗设备等多种高频应用。ABA-52563-TR2G 采用 GaAs(砷化镓)工艺制造,具备高线性度、低噪声系数和良好的增益性能。
工作频率范围:50 MHz - 6000 MHz
噪声系数:1.3 dB(典型值)
增益:18 dB(典型值)
输出IP3:35 dBm(典型值)
工作电压:5 V
工作电流:80 mA(典型值)
封装类型:DFN(双扁平无引脚)
封装尺寸:4 mm x 4 mm
温度范围:-40°C 至 +125°C
ABA-52563-TR2G 是一款高性能的射频低噪声放大器(LNA),其工作频率范围覆盖从50 MHz到6 GHz,使其非常适合多频段和宽带应用。该器件具有出色的噪声系数(NF)性能,典型值为1.3 dB,能够在微弱信号环境下提供高灵敏度。ABA-52563-TR2G 的典型增益为18 dB,并且在整个工作频率范围内保持良好的增益平坦度,确保信号放大的一致性。
该放大器的输出三阶交调截点(OIP3)为35 dBm,表明其具有良好的线性性能,适用于高动态范围的接收系统。ABA-52563-TR2G 在5 V电源电压下工作,典型工作电流为80 mA,具备良好的功耗控制能力,适合对功耗敏感的应用场景。
该器件采用紧凑的DFN封装(4 mm x 4 mm),便于在高密度PCB布局中使用。其宽广的工作温度范围(-40°C至+125°C)也确保了在恶劣环境下的稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。
ABA-52563-TR2G 主要用于需要高性能射频前端的通信设备,包括无线基站、Wi-Fi接入点、无线传感器网络、CATV系统、工业自动化设备以及医疗成像和监测设备。由于其宽带特性和低噪声性能,该芯片也适用于测试仪器和测量设备中的射频信号接收前端。
ABA-52563-TR2G 的替代型号包括 ABA-52563-TR1G 和类似的射频放大器如 Avago(安华高)的 MGA-634P8 和 Analog Devices 的 ADL5523。