输出电压：2.0V
　　输出电流：最大300mA
　　输入电压范围：2.5V 至 5.5V
　　压差电压：典型值为 280mV（在 300mA 负载下）
　　静态电流：典型值为 80μA
　　关断电流：最大 1μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SOT23-5

AAT3221IGV-2.0-T1 具备多项优良特性，确保其在多种应用场景下的稳定性和可靠性。首先，该器件具有较低的压差电压，在满载 300mA 时典型值仅为 280mV，这意味着即使在较低的输入输出电压差下，它也能维持输出电压的稳定，从而提高系统效率并延长电池寿命。
　　其次，AAT3221IGV-2.0-T1 具备良好的瞬态响应能力，能够在负载电流快速变化时迅速调整输出电压，保持系统稳定。这对于像 RF 收发器、ADC/DAC 或 DSP 等对电源噪声敏感的高速电路尤为重要。
　　此外，该 LDO 具有较低的静态电流（典型值为 80μA），有助于在轻载或待机状态下降低功耗。在关断模式下，其电流消耗可降至最大 1μA，非常适合需要节能设计的便携式设备。
　　该器件内部集成了多种保护功能，包括过温保护（OTP）和过流保护（OCP），确保在异常工作条件下不会损坏芯片。同时，AAT3221IGV-2.0-T1 还具备良好的线路和负载调节能力，确保输出电压在整个输入电压和负载范围内保持高精度。
　　封装方面，AAT3221IGV-2.0-T1 采用 SOT23-5 小型封装，节省 PCB 空间，适用于高密度电路设计。此外，其外围电路简单，仅需输入和输出电容即可实现稳定工作，简化了设计流程并降低了整体成本。

AAT3221IGV-2.0-T1 适用于多种低功耗、高性能的电子系统。常见应用包括便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、数码相机和可穿戴设备等。在这些设备中，它为处理器、传感器、无线模块（如 Wi-Fi、蓝牙、GPS）和音频电路提供稳定的 2.0V 电源。
　　该器件也广泛用于工业控制系统、电池供电仪表、便携式医疗设备和传感器网络中，确保在各种环境下电源的稳定性和系统的可靠性。
　　由于其低噪声和高电源抑制比（PSRR）特性，AAT3221IGV-2.0-T1 也常用于为模拟和混合信号电路供电，如运算放大器、ADC 和 DAC 等，以减少电源噪声对信号精度的影响。
　　此外，在嵌入式系统和 FPGA 设计中，AAT3221IGV-2.0-T1 可用于为 I/O 接口或内核电路提供稳定电源，确保系统的正常运行。

NCP552-200U - ON Semiconductor
　　LD1117S20 - STMicroelectronics
　　MIC5205-2.0YML - Microchip
　　TPS76320 - Texas Instruments
　　AP1117-2.0 - Diodes Incorporated