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AAN3216H2P2G45 发布时间 时间:2025/9/4 0:08:52 查看 阅读:5

AAN3216H2P2G45 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的功率MOSFET晶体管,广泛用于高功率和高频应用。这款MOSFET具有高效的开关性能和较低的导通电阻,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。AAN3216H2P2G45采用了先进的沟槽式技术,以提高器件的性能并降低损耗。其封装形式为H2PAK-2,提供良好的散热性能,确保在高负载条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  漏极-栅极电压(Vdg):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):160A
  功耗(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  导通电阻(Rds(on)):约1.8mΩ
  输入电容(Ciss):约3000pF
  封装类型:H2PAK-2

特性

AAN3216H2P2G45 是一款高性能的功率MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))的特点,这使得器件在导通状态下的功率损耗最小化,从而提高了整体系统的效率。该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术,使其在高频应用中表现出色,具备优异的开关速度和响应能力。
  其高耐压特性允许AAN3216H2P2G45在100V的漏极-源极电压下工作,使其适用于各种中高压应用,例如DC-DC转换器、电机驱动器和功率因数校正电路。此外,高达160A的连续漏极电流能力,使其能够承受较大的负载电流,适用于大功率输出的场合。
  AAN3216H2P2G45还具有良好的热稳定性,其封装设计(H2PAK-2)优化了散热路径,确保在高电流和高温环境下仍能保持稳定的性能。这种封装形式还允许通过PCB安装实现良好的机械固定和电气连接。
  此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),支持多种驱动电路的设计,提高了使用的灵活性。同时,其高输入电容(Ciss)特性有助于降低开关噪声,提升系统稳定性。

应用

AAN3216H2P2G45 适用于多种高功率电子系统,尤其是在需要高效能和高可靠性的应用中。常见应用包括电源转换器、DC-DC降压/升压电路、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车辆(EV)充电系统以及工业自动化设备中的电机控制模块。
  在电源管理领域,该MOSFET可用于构建高效率的同步整流器和功率因数校正(PFC)电路,从而提升整体能效。在电机控制系统中,它可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或无刷电机的高效控制。
  由于其高电流承载能力和良好的散热设计,AAN3216H2P2G45也常用于高功率LED照明系统、储能系统和不间断电源(UPS)等应用中。

替代型号

SiZ120DT, AON6518, SQJQ120EP, FDBL8825

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