类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：100V
　　漏极-栅极电压(Vdg)：100V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A
　　功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　导通电阻(Rds(on))：约1.8mΩ
　　输入电容(Ciss)：约3000pF
　　封装类型：H2PAK-2

AAN3216H2P2G45 是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得器件在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，使其在高频应用中表现出色，具备优异的开关速度和响应能力。
　　其高耐压特性允许AAN3216H2P2G45在100V的漏极-源极电压下工作，使其适用于各种中高压应用，例如DC-DC转换器、电机驱动器和功率因数校正电路。此外，高达160A的连续漏极电流能力，使其能够承受较大的负载电流，适用于大功率输出的场合。
　　AAN3216H2P2G45还具有良好的热稳定性，其封装设计（H2PAK-2）优化了散热路径，确保在高电流和高温环境下仍能保持稳定的性能。这种封装形式还允许通过PCB安装实现良好的机械固定和电气连接。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种驱动电路的设计，提高了使用的灵活性。同时，其高输入电容（Ciss）特性有助于降低开关噪声，提升系统稳定性。

AAN3216H2P2G45 适用于多种高功率电子系统，尤其是在需要高效能和高可靠性的应用中。常见应用包括电源转换器、DC-DC降压/升压电路、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（EV）充电系统以及工业自动化设备中的电机控制模块。
　　在电源管理领域，该MOSFET可用于构建高效率的同步整流器和功率因数校正（PFC）电路，从而提升整体能效。在电机控制系统中，它可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或无刷电机的高效控制。
　　由于其高电流承载能力和良好的散热设计，AAN3216H2P2G45也常用于高功率LED照明系统、储能系统和不间断电源（UPS）等应用中。

SiZ120DT, AON6518, SQJQ120EP, FDBL8825