时间：2025/8/16 18:53:01
阅读：17
MMDT4413 是一款双N沟道增强型MOSFET，采用SOT-363封装。该器件广泛应用于需要高效能和低功耗的便携式电子产品中，如电源管理、负载开关、DC-DC转换器等。MMDT4413的两个MOSFET通道可以独立操作，也可以并联使用以提供更高的电流承载能力。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
最大连续漏极电流(Id)：100mA（单个通道）
导通电阻(Rds(on))：1.5Ω @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-363
MMDT4413是一款高度集成的双N沟道MOSFET器件，其SOT-363封装形式使其非常适合在空间受限的应用中使用。该器件具有较低的导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，其栅极驱动电压范围较宽，能够在多种控制电路环境下稳定工作。
MMDT4413的两个独立通道可以分别用于不同的电路控制任务，或者在需要更大电流的应用中并联使用。这种灵活性使其在便携式设备和小型电子系统中具有广泛的应用潜力。该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了优良的电气性能和可靠性。
此外，MMDT4413具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下正常运行，适用于对散热设计要求较高的应用场景。其低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择。
MMDT4413 主要应用于以下领域：电源管理电路中的负载开关控制、DC-DC转换器、电池供电设备中的电流路径控制、逻辑电路中的信号切换、便携式电子产品中的功率管理模块等。其双通道结构和小型封装特别适合需要紧凑设计和多路控制的电子设备。
MMDT4401, MMBF4413, 2N3904
