A7007 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于各种高效率电源转换应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等。A7007 采用先进的屏蔽栅(Shielded Gate)技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,使其在高频率工作条件下依然能够保持较低的开关损耗。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):30A
最大漏源电压(VDS):30V
导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):18nC
输入电容(Ciss):1100pF
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TSDIP-8
A7007 MOSFET 具有多个显著的技术特性,适合高性能电源设计。
首先,其低导通电阻(Rds(on))为 6.5mΩ,能够在高电流条件下保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件采用了屏蔽栅技术,有效降低了米勒电容(Crss),从而减少了开关过程中的能量损耗,提高了开关速度。
其次,A7007 的栅极电荷(Qg)为 18nC,属于中等偏低水平,适合用于中高频开关应用。输入电容(Ciss)为 1100pF,在驱动电路设计中需要适当考虑栅极驱动能力,以确保快速开通和关断。
此外,A7007 的封装形式为 TSDIP-8,符合工业标准,便于在 PCB 上布局和焊接。该封装具备良好的散热性能,可在高功率密度设计中提供稳定的热管理支持。
最后,该 MOSFET 支持宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适用于各种严苛环境下的应用,如汽车电子、工业控制、通信设备等。
A7007 MOSFET 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。
在 DC-DC 转换器中,A7007 可用于同步整流拓扑,提高转换效率并降低热损耗,尤其适用于高电流输出的降压或升压转换器。其快速开关特性和低 Rds(on) 使其成为高性能电源模块的理想选择。
在负载开关应用中,A7007 可用于控制电源的通断,例如在笔记本电脑、服务器、工业设备中实现对不同模块的电源管理。由于其低导通电阻,能够有效减少压降和发热,提升系统的可靠性和能效。
此外,该器件也适用于电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及电源冗余设计等场合。其高可靠性和良好的热性能使其在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车载充电器、电动助力转向系统等。
SiSS140DN, NexFET CSD17501QPA, Infineon BSC016N04LS, STMicroelectronics STL30N03L