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A6B273KLWTR 发布时间 时间:2025/7/30 7:27:18 查看 阅读:14

A6B273KLWTR是一款由Alliance Memory公司生产的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)。该SRAM模块设计用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及需要高速存储器访问的应用场景。这款SRAM具有较大的存储容量、宽温度范围适应性以及良好的稳定性,使其适用于多种高可靠性应用场景。

参数

容量:256K x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:16位
  封装引脚数:54
  接口类型:并行

特性

A6B273KLWTR是一款高性能的异步SRAM,采用CMOS技术制造,具备低功耗和高速访问能力。其256K x 16的存储结构提供了总计512KB的数据存储空间,适合需要大容量缓存或高速临时存储的应用。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,确保了在不同电源环境下的稳定运行。其55ns的访问时间保证了快速的数据读写能力,适用于对响应时间要求较高的系统设计。
  该SRAM模块采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,具有54个引脚,便于在高密度PCB布局中使用。此外,A6B273KLWTR支持-40°C至+85°C的工业级工作温度范围,适合在严苛的工业和通信环境中使用。该器件没有异步控制信号,简化了系统设计,并且具备自动低功耗模式,以延长便携式设备的电池寿命。
  在可靠性方面,A6B273KLWTR通过了多项工业标准测试,包括温度循环测试、高温存储测试和电气性能测试,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。它广泛应用于网络设备、路由器、工业计算机、医疗设备以及各种嵌入式控制系统。

应用

A6B273KLWTR适用于需要高速数据访问和稳定存储的各类电子设备。常见应用包括工业控制系统、通信设备、路由器、网络交换机、测试仪器、嵌入式处理器系统、视频处理设备以及汽车电子模块。其宽温度范围和低功耗特性也使其适合在户外设备、远程监控系统以及自动化生产线中使用。

替代型号

Alliance Memory A6B273KDT1-55N、Alliance Memory A6B273KDT1-55P、ISSI IS61LV25616-55B

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A6B273KLWTR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数8
  • 导通状态电阻5.5 欧姆
  • 电流 - 输出 / 通道150mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装20-SOIC W
  • 包装带卷 (TR)