A6500E5R-18是一款由Alliance Memory公司生产的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件具有高速存取时间、低功耗以及宽电压工作范围等特点,适用于需要高可靠性和稳定性的嵌入式系统和工业控制领域。A6500E5R-18采用CMOS技术制造,支持异步操作,提供非易失性存储解决方案。该SRAM模块广泛用于通信设备、工业自动化、网络设备以及消费类电子产品中,为系统提供快速的数据存储和访问能力。
容量:128K x 8位
组织方式:128KB
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
引脚数量:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
功耗:典型值10mA(待机模式下10μA)
数据保持电压:1.5V
数据保持电流:典型值10nA
封装尺寸:8mm x 14mm
A6500E5R-18 SRAM具备多项优异特性,使其适用于各种高性能存储需求。首先,其高速访问时间为55ns,能够满足对响应时间要求较高的应用场景。其次,器件支持宽电压范围(2.3V至3.6V),兼容多种电源设计,增强了系统的适应性。此外,该SRAM在待机模式下的功耗极低,仅为10μA,有助于延长电池供电设备的续航时间。
A6500E5R-18还具备数据保持功能,在电源电压降至1.5V时仍能维持数据不丢失,确保系统在低功耗状态下数据的安全性。同时,其低数据保持电流(典型值10nA)进一步降低了系统在待机状态下的能耗。该芯片采用TSOP封装,尺寸小巧(8mm x 14mm),适合高密度PCB布局,并支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下的稳定运行。
该SRAM模块还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中提供可靠的数据存储。其CMOS工艺不仅提升了器件的集成度,也增强了稳定性和耐用性。A6500E5R-18适用于需要长时间运行、对数据完整性和可靠性要求较高的应用场合,如工业控制、通信设备、便携式医疗设备及嵌入式系统等。
A6500E5R-18 SRAM主要应用于对高速数据存储和低功耗有较高要求的电子系统中。例如,在工业自动化控制设备中,它可用于缓存实时数据,确保控制系统响应迅速且稳定可靠。在通信设备中,A6500E5R-18可作为高速缓冲存储器,用于临时存储数据包或协议信息,提升数据传输效率。此外,该器件也适用于便携式设备,如医疗监测仪器、数据采集器等,因其低功耗特性可有效延长设备的电池续航时间。
在嵌入式系统中,A6500E5R-18可作为外部存储器,与微控制器或FPGA配合使用,提高系统处理能力和数据吞吐量。其宽电压范围和工业级温度适应性,使其在车载电子、安防监控和智能仪表等应用中同样表现出色。由于其TSOP封装体积小巧,也适合空间受限的高密度电路板设计,广泛应用于各类高端电子设备中。
A6500E5R-15, A6500E5R-20