时间：2025/6/27 8:02:24
阅读：4
A60Z2R0BT200T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高电流和高电压场景，其出色的电气性能和可靠性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
型号：A60Z2R0BT200T
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：200A
导通电阻（Rds(on)）：2mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
总电容（Ciss）：4250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
A60Z2R0BT200T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，适合现代高效能电源设计。
3. 高额定电流（200A），能够满足大功率应用场景的需求。
4. 强大的热性能表现，确保在高温环境下依然保持稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种恶劣环境。
6. 紧凑的封装形式，有助于节省电路板空间。
这些特点使得 A60Z2R0BT200T 成为众多电力电子应用中的关键元件。
A60Z2R0BT200T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 电动车辆牵引逆变器
6. 工业自动化设备
7. 充电器及适配器
8. 电池管理系统 (BMS)
其高电流承载能力和高效的开关性能使它非常适合于需要高功率密度和高效率的应用场景。
A60Z2R0CT200T, A60Z2R0DT200T
