SM110T 时间：2025/8/5 4:56:45 阅读：36

SM110T 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于各种高频率、高效率的开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：110A
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大7.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

SM110T具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。由于采用了先进的沟槽式工艺，该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。
　　此外，SM110T具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其宽广的栅极电压范围（±20V）提供了良好的驱动兼容性，并增强了抗干扰能力。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持安全运行，提升系统的可靠性。同时，其封装设计有利于散热，适用于高功率密度的应用场景。

应用

SM110T广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器和电动汽车充电模块等。
　　在开关电源中，SM110T作为主开关器件，能够在高频下实现高效能转换，满足现代电源对高效率和小型化的需求。
　　在电机控制和电池管理系统中，该MOSFET可用于高侧或低侧开关，提供快速响应和可靠保护。
　　此外，由于其优异的导通特性和热性能，也常用于需要高电流承载能力的工业和汽车电子应用。